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      東微半導(dǎo)(688261)研究報(bào)告:高壓超級(jí)結(jié)MOS龍頭,發(fā)力IGBT打開成長(zhǎng)空間.pdf

      • 上傳者:羅***
      • 時(shí)間:2022/05/09
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      東微半導(dǎo)(688261)研究報(bào)告:高壓超級(jí)結(jié)MOS龍頭,發(fā)力IGBT打開成長(zhǎng)空間。公司主要產(chǎn)品包括 GreenMOS 系列高壓超級(jí)結(jié) MOSFET、SFGMOS 和 FSMOS 系列中低壓屏蔽柵 MOSFET、以及 TGBT 系列 IGBT 產(chǎn)品,應(yīng)用領(lǐng) 域包括以新能源汽車直流充電樁、車載充電機(jī)、5G 基站電源及通信電源、 儲(chǔ)能和光伏逆變器、UPS 電源和工業(yè)照明電源為代表的工業(yè)級(jí)領(lǐng)域,以及以 PC 電源、適配器、TV 電源板、手機(jī)快速充電器為代表的消費(fèi)電子領(lǐng)域。

      功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)性缺貨,作為超級(jí)結(jié) MOSFET 龍頭,公司產(chǎn)品供不應(yīng) 求。超級(jí)結(jié) MOSFET 作為中大功率段高性能電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的核心器件,充 分受益于全球新能源產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,預(yù)計(jì)未來十年的市場(chǎng)規(guī)模將保持快速 增長(zhǎng)。18-19 年是國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)加速發(fā)展的元年,疫情加劇國(guó)外半導(dǎo) 體產(chǎn)能供給緊張局面,產(chǎn)業(yè)鏈向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移,國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)一步加速。今年以來 國(guó)內(nèi)疫情導(dǎo)致下游行業(yè)需求放緩,部分中低端功率芯片價(jià)格松動(dòng),但長(zhǎng)期看 功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代仍是主旋律,且應(yīng)用于新能源汽車、光伏等新興領(lǐng)域的 高性能功率器件替換緊迫性更高,東微半導(dǎo)產(chǎn)品目前仍供不應(yīng)求。

      東微半導(dǎo)公司下游為高景氣賽道,未來高速成長(zhǎng)確定性強(qiáng)。2021 年公司汽車及工業(yè)級(jí) 應(yīng)用收入占比超過 60%,高于消費(fèi)類收入,其中新能源汽車充電樁收入同比 +190%、占比超 20%,工業(yè)及通信電源收入同比+140%、占比超 10%,逆變器 收入同比+200%、占比約 5%,車載充電機(jī)同比+900%左右、占比約 5%。從傳 統(tǒng)燃油車發(fā)展到純電動(dòng)汽車,汽車半導(dǎo)體 BOM 成本將從 490 美元上升至 950 美元,其中功率半導(dǎo)體增量約 460 美元;100kW 的充電樁需要的功率器件價(jià) 值量在 200-300 美元;風(fēng)力發(fā)電與太陽能光伏每 GW 發(fā)電量所需要的功率半 導(dǎo)體是傳統(tǒng)發(fā)電方式的數(shù)倍;MIMO 天線系統(tǒng)所需的功率半導(dǎo)體價(jià)值量將從 3G/4G 時(shí)代的 25 美元左右上升到 5G 時(shí)代的 100 美元左右。

      東微半導(dǎo)公司 TGBT 產(chǎn)品放量,新能源汽車、光伏領(lǐng)域前景廣闊。公司的 Tri-gate 結(jié)構(gòu) IGBT 器件使用創(chuàng)新型器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了 IGBT 器件性能的大幅提升,公司 的第一代 650V TGBT 芯片的電流密度超過 400A/cm2,達(dá)到國(guó)際主流第七代 IGBT 的技術(shù)水平。2021 年公司 TGBT 出貨 72.43 萬顆,實(shí)現(xiàn)銷售額 568.17 萬 元。根據(jù)我們的測(cè)算,2025 年國(guó)內(nèi)新能源乘用車對(duì)應(yīng) IGBT 市場(chǎng)需求在 162 億元,2025 年全球光伏 IGBT 市場(chǎng)規(guī)模約 100 億元。

      東微半導(dǎo)公司營(yíng)收結(jié)構(gòu)進(jìn)一步優(yōu)化。2021 年公司中低壓屏蔽柵 MOSFET 產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)營(yíng) 業(yè)收入 2.06 億元,同比增長(zhǎng) 246.85%,目前公司多款中低壓屏蔽柵 MOSFET 已經(jīng)批量進(jìn)入汽車領(lǐng)域。超級(jí)硅 MOSFET 營(yíng)收較 2020 年增長(zhǎng) 432.63%。

      東微半導(dǎo)公司優(yōu)秀的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力帶來華虹持續(xù)的代工產(chǎn)能保證。華虹是公司主要代工 廠,至 21 年底華虹七廠 12 寸線產(chǎn)能 6 萬片/月左右,預(yù)計(jì)至 22 年底進(jìn)一步 擴(kuò)大至 9.5 萬片/月,東微半導(dǎo)是華虹高壓超級(jí)結(jié) MOSFET 最大的客戶之一, 隨著華虹七廠以及廣州粵芯代工產(chǎn)能的逐步釋放,公司有望保持高增長(zhǎng)。

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      東微半導(dǎo)(688261)研究報(bào)告:高壓超級(jí)結(jié)MOS龍頭,發(fā)力IGBT打開成長(zhǎng)空間.pdf第1頁 東微半導(dǎo)(688261)研究報(bào)告:高壓超級(jí)結(jié)MOS龍頭,發(fā)力IGBT打開成長(zhǎng)空間.pdf第2頁 東微半導(dǎo)(688261)研究報(bào)告:高壓超級(jí)結(jié)MOS龍頭,發(fā)力IGBT打開成長(zhǎng)空間.pdf第3頁 東微半導(dǎo)(688261)研究報(bào)告:高壓超級(jí)結(jié)MOS龍頭,發(fā)力IGBT打開成長(zhǎng)空間.pdf第4頁 東微半導(dǎo)(688261)研究報(bào)告:高壓超級(jí)結(jié)MOS龍頭,發(fā)力IGBT打開成長(zhǎng)空間.pdf第5頁 東微半導(dǎo)(688261)研究報(bào)告:高壓超級(jí)結(jié)MOS龍頭,發(fā)力IGBT打開成長(zhǎng)空間.pdf第6頁 東微半導(dǎo)(688261)研究報(bào)告:高壓超級(jí)結(jié)MOS龍頭,發(fā)力IGBT打開成長(zhǎng)空間.pdf第7頁 東微半導(dǎo)(688261)研究報(bào)告:高壓超級(jí)結(jié)MOS龍頭,發(fā)力IGBT打開成長(zhǎng)空間.pdf第8頁 東微半導(dǎo)(688261)研究報(bào)告:高壓超級(jí)結(jié)MOS龍頭,發(fā)力IGBT打開成長(zhǎng)空間.pdf第9頁 東微半導(dǎo)(688261)研究報(bào)告:高壓超級(jí)結(jié)MOS龍頭,發(fā)力IGBT打開成長(zhǎng)空間.pdf第10頁 東微半導(dǎo)(688261)研究報(bào)告:高壓超級(jí)結(jié)MOS龍頭,發(fā)力IGBT打開成長(zhǎng)空間.pdf第11頁 東微半導(dǎo)(688261)研究報(bào)告:高壓超級(jí)結(jié)MOS龍頭,發(fā)力IGBT打開成長(zhǎng)空間.pdf第12頁 東微半導(dǎo)(688261)研究報(bào)告:高壓超級(jí)結(jié)MOS龍頭,發(fā)力IGBT打開成長(zhǎng)空間.pdf第13頁 東微半導(dǎo)(688261)研究報(bào)告:高壓超級(jí)結(jié)MOS龍頭,發(fā)力IGBT打開成長(zhǎng)空間.pdf第14頁 東微半導(dǎo)(688261)研究報(bào)告:高壓超級(jí)結(jié)MOS龍頭,發(fā)力IGBT打開成長(zhǎng)空間.pdf第15頁
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