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第三代半導體行業分析：千億級黃金賽道，中國“芯”蓄勢待發。硅襯底占據主要市場，第三代半導體有望掀起底層材料端革命。第 三代半導體材料為氮化鎵 GaN、碳化硅 SiC、氧化鋅 ZnO、金剛石 C 等，其中氮化鎵 GaN、碳化硅 SiC 為主要代表。在禁帶寬度、介電 常數、導熱率及最高工作溫度等方面氮化鎵 GaN、碳化硅 SiC 性能 更為出色，在 5G 通信、新能源汽車、光伏等領域頭部企業逐步使用 第三代半導體。雖然硅（Si）是目前技術最成熟、使用范圍最廣、 市場占比最大的襯底材料，但近年來硅材料的潛力已經開發殆盡， 在高壓、高頻、高溫領域以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體 襯底材料市場有望迎來快速發展機遇，待成本下降有望實現全面替 代。

發展前景：千億市場，第三代半導體滲透率逐年提升

我國第三代半導體整體產值超 7100 億元，2023 年第三代半導體材料 滲透率有望接近 5%。從整體產值規模來看，根據 CASA 數據，我國第 三代半導體整體產值超過 7100 億。其中，半導體照明整體產值預計 7013 億元，受新冠疫情影響較 2019 年下降 7.1%；SiC、GaN 電力電 子產值規模達 44.7 億元，同比增長 54%；GaN 微波射頻產值達到 60.8 億元，同比增長 80.3%。從滲透率角度來看，根據 Yole 數據顯示， Si 仍是半導體材料主流，占比 95%。第三代半導體滲透率逐年上升， SiC 滲透率在 2023 年有望達到 3.75%，GaN 滲透率在 2023 年達到 1.0%，第三代半導體滲透率總計 4.75%。

重點公司布局：SiC、GaN 基本均已實現全覆蓋，大部分企業處于研 發階段

襯底→外延→器件→設備各領域全布局，中國第三代半導體將迎來歷 史性發展機遇。SiC 領域：目前，國內布局 SiC 的上市公司從產業鏈 角度可以分為 5 類：1）專注襯底材料，如天岳先進和天科合達（中 止 IPO）；2）器件端 IDM 布局，如華潤微、斯達半導、聞泰科技等； 3）從材料到器件一體化布局，如三安光電；4）芯片設計廠商，如新 潔能；5）其他：露笑科技布局設備+材料，中微公司布局外延設備。 GaN 領域：包括 GaN 襯底制造商蘇州納維、東莞中鎵；外延制造商晶 湛半導體、江蘇能華；設計企業安譜隆、海思半導體；制造企業三安 集成、海威華芯等。此外，新進入廠商不只有傳統功率半導體廠商， 更多的是做射頻器件出身或者有軍工背景的企業進入 GaN 領域，如 主營軍工電子的亞光科技，主營 TR 組件及射頻模組的國博電子。