斯達(dá)半導(dǎo)（603290）研究報(bào)告：存量替代與增量滲透，硅基與碳化硅基器件多維發(fā)展.pdf

斯達(dá)半導(dǎo)（603290）研究報(bào)告：存量替代與增量滲透，硅基與碳化硅基器件多維發(fā)展。斯達(dá)半導(dǎo)作為全球 IGBT 模塊領(lǐng)先廠商，市占率位列全球第六、國內(nèi)第一。 斯達(dá)半導(dǎo)是我國 IGBT 的領(lǐng)軍企業(yè)，公司聚焦高性能 IGBT 模塊，下游應(yīng)用覆 蓋工業(yè)控制、新能源及白電等領(lǐng)域，21 年公司在全球 IGBT 模塊市占率排名 第六（占 3.0%），國內(nèi) IGBT 模塊市場份額第一。2017-2021 年公司營業(yè)收 入由 4.4 億元增長至 17.07 億元，年復(fù)合增速達(dá) 40.4%；扣非歸母凈利潤由 0.5 億元增長至 3.78 億元，年復(fù)合增速達(dá) 65.5%。

在工控與新能源應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，25 年全球 IGBT 市場有望增至 1071 億元，其 中新能源汽車(占 31.1%)、工業(yè)(占 23.7%)、光風(fēng)儲(chǔ)（占 23.4%）為主要市場。 在汽車電動(dòng)化驅(qū)動(dòng)下，我們預(yù)計(jì) 21-25 年全球新能源汽車 IGBT 市場將從 99.5 億元增至 333.2 億元以上。新能源發(fā)電帶來電網(wǎng)架構(gòu)變革，光伏、風(fēng) 電及電化學(xué)儲(chǔ)能（光風(fēng)儲(chǔ)）打開 IGBT 應(yīng)用增量，我們預(yù)計(jì) 21-25 年全球光 風(fēng)儲(chǔ)用 IGBT 市場規(guī)模將由 74.8 億元增長至 250 億元。

存量替代與增量滲透，公司技術(shù)與市場的先發(fā)優(yōu)勢鑄就核心競爭力。隨著公 司不斷開拓，IGBT 模塊全球市占率由 17 年的 1.9%（位列第十）逐步提升至 21 年的 3.0%（位列第六）。目前公司掌握了包括基于第七代微溝槽 Trench Field Stop 技術(shù)的車規(guī)級 650V/750V IGBT 芯片及集中式光儲(chǔ)系統(tǒng)的 1200V IGBT 模塊等多項(xiàng)核心技術(shù)。在國產(chǎn)替代與新能源增量驅(qū)動(dòng)下，公司 17-21 年 新能源領(lǐng)域營收復(fù)合增速達(dá) 71.6%；根據(jù) NE 時(shí)代數(shù)據(jù)，22 年 1-11 月新能源 上險(xiǎn)乘用車功率模塊公司累計(jì)配套量超 65.7 萬套，國內(nèi)市占率達(dá) 13%。

Fabless 與 IDM 融合互補(bǔ)，高壓與碳化硅基器件拓寬發(fā)展空間。目前，碳化 硅器件是增速最快的功率器件，21-25 年全球市場復(fù)合增速達(dá) 42%；公司自 15 年研發(fā)出 SiC 模塊到 22 年批量裝車，在技術(shù)與客戶積累上保持行業(yè)領(lǐng)先。 21 年起，公司建設(shè)年產(chǎn) 8 萬顆車規(guī)級全 SiC 功率模組產(chǎn)線和年產(chǎn) 6 萬片的 6 英寸 SiC 芯片產(chǎn)線以加強(qiáng)器件制造能力。此外，在智能電網(wǎng)、風(fēng)電用高壓器 件國產(chǎn)化驅(qū)動(dòng)下，公司推出 3300V-6500V 高壓 IGBT 產(chǎn)品并于 21 年建設(shè)年產(chǎn) 30 萬片的 6 英寸高壓功率芯片產(chǎn)線。未來，公司有望隨行業(yè)滲透多維發(fā)展。