長光華芯（688048）深度跟蹤報告：光芯片IDM平臺新征程.pdf

長光華芯（688048）深度跟蹤報告：光芯片IDM平臺新征程。國際視角：全球領先的光芯片企業都是平臺型企業，II-VI 公司通過連續并購形 成了自身的材料平臺。縱觀 II-VI/相干公司的發展歷史，因為光產業技術、材料 研發周期長，為了在多路徑、復雜應用的市場中保持競爭力，公司通過不斷并 購逐漸形成自身的材料平臺，具備了從 ZnS/ZnSe、SiC 到 GaAs、InP 的材料 基礎以及豐富晶圓以及外延生長技術和產線。隨后公司通過并購 Finisar 和 Coherent 完善了自身在光通信、激光領域的產品矩陣，形成覆蓋材料、組件、 子系統、系統和服務的價值鏈，并為下游的廣泛應用奠定了夯實的技術基礎， 觸及了近 650 億美元的市場。

建平臺：高功率產品為支點，底層技術為基礎，人才為核心，資本為紐帶。在 量產產品方面，長光華芯已做到全球最高功率，其單管和巴條產品在功率和效 率上都處于全球領先。底層技術平臺方面，長光華芯建成了全球唯二、國內唯 一的 6 吋高功率半導體激光芯片晶圓垂直整合生產線，并在芯片設計、關鍵設 備、工藝技術和原材料方面實現自主可控。長光華芯也在按照 II-VI 的路徑進行 材料技術平臺布局，其具備國內首家 IDM GaAs 芯片 6 吋產線和 3 吋 InP 產 線，正在開發的 GaN 產品線有望在 2 年內產生收入，同時在 SiC 方面積極考 慮布局。從工藝上看，外延生長決定性能、Fab 決定功率天花板、這二者都需 要長期工藝經驗積累，具備較高壁壘，并為長光華芯向更大功率進發打下基 礎。公司百余名研發人員中有多位國家級技術專家人才及二十余名博士，在本 土半導體工藝人才不夠豐沛的前提下，團隊經多年培養而成，形成人才壁壘。 同時，公司通過投資、參股、籌備產業基金的形式借助資本力量持續發展，并 培育產業鏈土壤。

擴品類：橫向擴展三大芯片領域+縱向高功率垂直延伸一體化。參考國際廠 商，具備技術平臺后，因為產品的底層技術復用性強，產品線的擴張成本將大 幅降低。具體來說，半導體激光器底層多為 GaAs/InP/GaN 材料，工藝也多為 設計+外延生長+Fab 制造+封測，其中外延生長和 Fab 制造能力有望完全復 用，設計和封測環節則需進一步考慮應用產品的情況。對于長光華芯而言，在 技術平臺化后，根據不同的應用領域可以不斷橫向擴展芯片產品，從大功率市 場走向小功率信號市場。同時，在 GaN 平臺開發完成后，可進入可見光激光 市場及部分無線通信、電功率芯片市場；未來利用化合物半導體基礎將 SiC 平 臺逐漸開發完成后，則可以進軍更大的電功率芯片市場，且能夠與大功率光芯 片形成配合，打造成套方案。在優勢的高功率領域則可以深挖打通產業鏈，實 現縱向延伸。如在相對早期的車載激光雷達市場從 VCSEL 芯片延伸到模組； 在技術難度較高且市場規模有限的大功率激光市場，布局該產業鏈的封測環 節，并延伸至器件、模組、甚至激光器整機等業務，并由此形成核心優勢競爭 力切入特殊應用領域市場。