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電子行業AI產業系列深度報告：AI技術創新與供需格局變化，共同驅動存儲景氣周期。行業核心觀點：存儲市場規模較大，有望迎來以 AI 驅動的新一輪景氣周期：據 CFM 閃 存市場數據顯示，2025Q3 全球存儲市場規模創造季度歷史新高，且已 連續兩個季度增長，其中 DRAM 市場規模環比增長 24.7%至 400.37 億美 元，NAND 市場規模環比增長 16.8%至 184.22 億美元。當前存儲芯片有 望迎來以 AI 驅動的新一輪景氣周期，需求拉動力更強、存儲技術迭代 進一步加速、供給端產能調控策略升級，同時短期供給端新增產能有限， 供需缺口有望維持，本輪存儲行業漲價持續性或更強。

服務器存儲受益于云廠商資本開支加速，端側存儲有望持續擴容：全球 八大核心云端服務提供商 2025 年以來均加大資本投入以響應 AI 數據 中心與云端運算的旺盛需求，根據 TrendForce 集邦咨詢預測，2025 年 全球八大云廠商資本支出總額年增率預計為 65%，并預期 2026 年行業 仍將維持積極投資節奏，合計資本支出將突破 6000 億美元，年增率達 40%。資本支出的持續擴張有望全面帶動 AI 服務器需求升溫，進而拉動 存儲器等上游供應鏈需求。在存儲器下游應用中，服務器存儲占比有望 進一步提升，NAND 領域，算力中心積極應用超高容量 eSSD 提升性能、 降低能耗；DRAM 方面，隨著支持 DDR5 的處理器平臺滲透率提升、搭載 AI 加速芯片的 AI 服務器出貨放量，服務器 DDR5 及 HBM 需求快速增長。 同時，2024-2025 年全球手機及 PC 出貨量持穩，AI 手機、AIPC 等智能 終端加速滲透，端側存儲有望持續擴容。

技術創新驅動存儲市場成長,供給端調控產能致 DDR4 等供不應求：HBM、 DDR5 引領高端 DRAM 市場，其中 HBM 技術持續迭代，存儲容量與帶寬不 斷提升，主流 AI 加速卡多數采用 HBM 配置方案，有望推動 HBM 市場規 模穩步增長；DDR5 在企業級與數據中心客戶的應用規模有望持續提升。 NAND 市場方面，QLC NAND 技術逐步成熟，兼顧大容量、低功耗、高性 能的 QLC SSD 成為企業級存儲新星，滲透率有望提升。為應對 AI 算力 旺盛需求，存儲大廠調整產能規劃至 HBM 等高端環節，減產或停供 DDR4 等傳統產品，使相關產品價格大幅上揚。

存儲市場集中度較高，國產存儲技術突破有望提升出貨量，產業鏈迎來 發展機遇：全球存儲市場集中度較高，競爭格局較為穩定，三星、SK 海 力士、美光等廠商穩居前列。國產 DRAM 龍頭廠商長鑫存儲已實現 DDR5/LPDDR5X 的技術突破與產品供應，出貨量有望逐步攀升。國產 NAND Flash 龍頭廠商長江存儲已實現 QLC、TLC 等多款產品的技術突破。AI 驅動、技術創新疊加供需格局變化，國內存儲廠商、模組廠商有望充分 受益于存儲新一輪景氣周期。此外，存儲景氣周期有望推動存儲廠商提 升資本開支，上游半導體設備有望受益。