電子行業(yè)專題報(bào)告:存儲(chǔ)芯片漲價(jià)將延續(xù)至2026年.pdf
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電子行業(yè)專題報(bào)告:存儲(chǔ)芯片漲價(jià)將延續(xù)至2026年。2025Q4 存儲(chǔ)芯片進(jìn)入新一輪漲價(jià)周期。Micron、Samsung、SK Hynix 三大存儲(chǔ)巨頭陸續(xù)上調(diào) DRAM 及 NAND Flash 產(chǎn)品合約價(jià),相關(guān)現(xiàn)貨價(jià)格同步持續(xù)上揚(yáng)。復(fù)盤歷史周期,2016-2018 年的存儲(chǔ)芯片漲價(jià)由智能手機(jī)配置升級(jí)直接驅(qū)動(dòng);2020-2023年受益于線上經(jīng)濟(jì)、居家辦公場(chǎng)景拉動(dòng) PC 等終端出貨量提升,疊加疫情下產(chǎn)業(yè)鏈囤貨需求,推動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)階段性上行。與前兩輪周期不同,本輪漲價(jià)周期來自于智能手機(jī)和服務(wù)器的雙重需求共振。iPhone 在 2025 年完成存儲(chǔ)容量升級(jí)后,我們判斷其內(nèi)存容量有望在2026迎來再次升級(jí)。如此密集的持續(xù)升級(jí),有望助推全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)漲價(jià)周期在2026 年延續(xù)。
DRAM 可直接與核心處理器芯片交互,快速存儲(chǔ)計(jì)算臨時(shí)信息。DRAMeXchange,TrendForce 數(shù)據(jù)顯示,2024 年全球 DRAM 市場(chǎng)規(guī)模達(dá)958.63 億美元,同比增長(zhǎng)84.83%。全球 DRAM 市場(chǎng)呈現(xiàn)寡頭壟斷格局:2024 年 Samsung、SK Hynix、Micron的DRAM產(chǎn)品市場(chǎng)份額分別達(dá)到 41.54%、34.44%和 21.51%,三者合計(jì)擁有97.5%的市場(chǎng)份額;國(guó)內(nèi)企業(yè)方面,長(zhǎng)江存儲(chǔ)、江波龍、佰維存儲(chǔ)等憑借架構(gòu)創(chuàng)新與場(chǎng)景深耕,正加速在該領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。
NAND Flash 是一類非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),核心應(yīng)用于數(shù)據(jù)長(zhǎng)期存儲(chǔ)場(chǎng)景。相較DRAM,其具備存儲(chǔ)容量大、單位成本相對(duì)較低等核心優(yōu)勢(shì)。據(jù)TrendForce 統(tǒng)計(jì),2023年全球NAND Flash 市場(chǎng)規(guī)模為 387.3 億美元,2024 年增加至656.4 億美元。2024年全球市場(chǎng)NAND Flash 份額排名前五的企業(yè)依次為 Samsung(35.7%)、SK Group(21.3%)、Kioxia(14.4%)、Micron(12.9%)、SanDisk(11.0%)。按存儲(chǔ)單元位數(shù)劃分,NANDFlash 可分為 SLC(單層式儲(chǔ)存)、MLC(雙層式儲(chǔ)存)、TLC(三層式儲(chǔ)存)及QLC(四層式儲(chǔ)存)四種類型,不同類型產(chǎn)品的場(chǎng)景定位存在顯著差異。
全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)“美國(guó)-日本-韓國(guó)-中國(guó)”的區(qū)域轉(zhuǎn)移脈絡(luò)。美國(guó)作為存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)源地,英特爾等企業(yè)率先引領(lǐng)早期存儲(chǔ)芯片的技術(shù)迭代與市場(chǎng)拓展;1970 年代日本憑借舉國(guó)體制集中突破半導(dǎo)體核心技術(shù),1986 年存儲(chǔ)器全球市占率攀升至65%,一度主導(dǎo)全球市場(chǎng),后因日美貿(mào)易摩擦加劇,其存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額逐步下滑;韓國(guó)Samsung、SKHynix等企業(yè)順勢(shì)崛起,1996 年 Samsung 推出全球首款 1GB DRAM,正式躋身行業(yè)領(lǐng)跑者行列。當(dāng)前,Micron、SK Hynix、鎧俠等國(guó)際存儲(chǔ)廠商憑借持續(xù)的技術(shù)迭代,仍占據(jù)全球市場(chǎng)龍頭地位:Micron 聚焦 HBM3E、高端 NAND Flash 等高附加值產(chǎn)品,深度綁定NVIDIA等AI 巨頭構(gòu)建定制化供應(yīng)鏈;鎧俠以 BiCS FLASH™3D 閃存技術(shù)為核心競(jìng)爭(zhēng)力,鞏固細(xì)分領(lǐng)域優(yōu)勢(shì);SK Hynix2024 年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 454.71 億美元(同比+102.02%),積極加碼高端賽道布局;中國(guó)企業(yè)中,長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、江波龍等廠商加速技術(shù)突破與產(chǎn)能擴(kuò)張,正推動(dòng)全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)重心逐步向中國(guó)轉(zhuǎn)移。
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