2026年半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)策略報(bào)告：AI驅(qū)動(dòng)新成長(zhǎng)，自主可控大時(shí)代.pdf

2026年半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)策略報(bào)告：AI驅(qū)動(dòng)新成長(zhǎng)，自主可控大時(shí)代。

2025行業(yè)復(fù)盤：跑贏大盤，持續(xù)增長(zhǎng)

2025年至今，半導(dǎo)體設(shè)備指數(shù)顯著跑贏大盤，當(dāng)前估值處于28%分位點(diǎn)。 2025年前道設(shè)備營(yíng)收持續(xù)高增長(zhǎng)，利潤(rùn)增速結(jié)構(gòu)性放緩；后道設(shè)備迎來爆發(fā)式增長(zhǎng)，凈利率顯著提升，行業(yè)呈現(xiàn)高景氣態(tài)勢(shì)。

2026行業(yè)展望：半導(dǎo)體行業(yè)景氣度高，先進(jìn)邏輯存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)共振

半導(dǎo)體行業(yè)景氣度高：AI驅(qū)動(dòng)下，2025年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)創(chuàng)歷史新高，預(yù)計(jì)2026年將繼續(xù)增長(zhǎng)9%至7607億美元。 中國半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)：國內(nèi)晶圓廠產(chǎn)能利用率回升擴(kuò)產(chǎn)意愿強(qiáng)烈，AI驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)超級(jí)周期，國內(nèi)先進(jìn)邏輯&存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)有望共振，疊加自主可控邏輯下國 產(chǎn)化率繼續(xù)提升，帶動(dòng)設(shè)備需求向上。

重點(diǎn)推薦：四大景氣方向

方向一： AI驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)超級(jí)周期，聚焦刻蝕與薄膜設(shè)備龍頭。AI驅(qū)動(dòng)的HBM和高端存儲(chǔ)需求，創(chuàng)造了結(jié)構(gòu)性而非周期性的設(shè)備投資機(jī)會(huì)。3D NAND堆 疊與DRAM技術(shù)迭代，使刻蝕、薄膜沉積設(shè)備的使用量和價(jià)值量倍增。緊跟長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)存等國內(nèi)龍頭擴(kuò)產(chǎn)步伐，布局存儲(chǔ)業(yè)務(wù)占比高的設(shè)備公司。 方向二：光刻機(jī)國產(chǎn)化破曉，布局核心子系統(tǒng)與零部件。光刻機(jī)是國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率最低的環(huán)節(jié)，2026年有望實(shí)現(xiàn)從0到1量產(chǎn)，帶動(dòng)子系統(tǒng) 及零部件公司業(yè)績(jī)與估值雙提升。 方向三：前沿技術(shù)演進(jìn)，ALD設(shè)備迎來黃金發(fā)展期。ALD技術(shù)主要應(yīng)用在28nm及以上的邏輯及存儲(chǔ)領(lǐng)域。在3D NAND、GAA晶體管、3D DRAM等 前沿領(lǐng)域，ALD從輔助工藝升級(jí)為核心工藝，是前道設(shè)備中增長(zhǎng)最快的環(huán)節(jié)之一，外部管制下，國產(chǎn)廠商正迎來替代窗口期。 方向四：先進(jìn)封裝延續(xù)摩爾定律，設(shè)備國產(chǎn)化空間廣闊。面對(duì)制程微縮瓶頸，先進(jìn)封裝通過系統(tǒng)級(jí)集成成為提升性能的主航道。AI芯片對(duì)CoWoS、 HBM的需求爆發(fā)，催生了從TSV刻蝕、微凸塊電鍍到高精度鍵合、測(cè)試的全鏈條設(shè)備需求。該領(lǐng)域技術(shù)門檻呈階梯分布，為國產(chǎn)設(shè)備商提供了廣闊的 切入和替代空間。