2021-2027年中國GANRF器件市場分析與投資前景研究報告.pdf
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- 時間：2021/07/29
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在過去的五十年中，射頻（RF）電路經(jīng)歷了快速發(fā)展和技術(shù)演變，一共經(jīng)歷了四個時期。第一個時期，從20世紀(jì)60年代中期到20世紀(jì)70年代中期，其特點是使用二極管有源器件和波導(dǎo)傳輸線和諧振器。第二個時期的主要特點是使用了GaAsMESFET器件，通過連接諸如GaAsMESFET和二極管的有源器件來組裝電路。第三個時期主要特點在于不斷降低RF/微波固態(tài)電路的成本，尺寸和重量，遵循數(shù)字IC和模擬IC一樣的路徑，GaAs集成電路的制造技術(shù)于20世紀(jì)80年代中期開始出現(xiàn)，單片的MMIC集成電路取代當(dāng)時存在的大部分陶瓷微帶混合硬件。第四個時期隨著無線應(yīng)用場景需求的增多，降成本的需求促使基于Si工藝的RFIC取得快速發(fā)展，LDMOS工藝大陸應(yīng)用于射頻領(lǐng)域。現(xiàn)在也有新的變化，隨著5G的高頻特性，基于GaAs或GaN材料的射頻芯片正在快速發(fā)展。
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