半導體行業(yè)分析:市場空間巨大,SiC國產化趨勢加速.pdf
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- 時間:2021/11/08
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碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導體材料物理限制,是第三代半導體核心材料:碳化硅材料的禁帶寬度大約為硅材料的三倍,且硅材料的極限溫度不足碳化硅材料的二分之一,這些物理特性使得碳化硅材料更好地應用于高壓、高溫環(huán)境。此外,相比于硅基器件,同性能的碳化硅器件尺寸更小、重量更輕、能量損耗更少。在高溫、高壓、高頻領域,碳化硅將逐步替代硅器件,如 5G 通訊基站、軌道交通、特高壓輸電、新能源汽車等領域。碳化硅優(yōu)異的性能符合下游市場的新興需求,以新能源汽車為例,采用碳化硅器件可延長電動車的行駛里程、縮短電動車的充電時間以及擴大電池容量等,越來越多的新能源汽車企業(yè)布局碳化硅器件使用。
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