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      立昂微(605358)研究報告:半導體硅片、半導體功率器件以及化合物半導體射頻芯片.pdf

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      • 時間:2022/04/12
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      立昂微(605358)研究報告:半導體硅片、半導體功率器件以及化合物半導體射頻芯片。公司是國內領先的半導體硅片廠商,立足上游材料向下延伸,目前主業包含三大業務 板塊:半導體硅材料、半導體功率器件以及化合物半導體射頻芯片,擁有一條相對完 整的產業鏈。公司主要產品包括 6-12 英寸半導體硅拋光片和硅外延片、6 英寸肖特 基芯片和 MOSFET 芯片、6 英寸砷化鎵微波射頻芯片等三大類。經過二十多年的 發展,已經發展成為目前國內屈指可數的從硅片到芯片的一站式制造平臺,形成了 以盈利的小尺寸硅片產品帶動大尺寸硅片的研發和產業化,以成熟的半導體硅片業 務、半導體功率器件業務帶動化合物半導體射頻芯片產業的經營模式。

      硅片供需格局持續緊張,海外大廠未來五年訂單飽滿,國產硅片廠商進入黃金發展期。 自 2020 年以來,隨著疫情爆發,居家辦公、線上教育等應用興起,帶動半導體產業發 展,硅片開始重新進入增長期。我們判斷隨著 5G、物聯網、新能源汽車、光伏等領域 的發展,未來硅片的高需求將長期保持穩定。根據 SUMCO 數據顯示,2021 年底全球 8 寸硅片需求約為 600 萬片/月,12 英寸硅片需求約為 750 萬片/月,以 5G 智能手機 和數據中心為首的終端應用市場在未來依然會持續高漲,預計將共同推動 12 英寸硅片 的全球需求量在 2025 年達到 935 萬片/月,部分海外大廠目前訂單已排產到 2026 年。 伴隨半導體產業第三次產業轉移到國內,國產硅片替代正當時。2021-2022 年全球將 新增 29 座晶圓廠以滿足市場對半導體芯片的需求,其中 16 座在中國,帶動國產設備 材料需求高增長。我們預計 2022 年中國大陸 8 英寸及 12 英寸硅片需求將達到 101 萬 片/月及 134 萬片/月,2025 年預計達到約 160 萬片/月、180 萬片/月。目前國內 8 寸 硅片僅少量廠商能夠實現大規模生產,12 寸大硅片正片國產化率更是不到 10%,急需 國產替代加速。在目前全球供給緊張,海外大廠優先保障國際晶圓大廠訂單行情下, 我們預計國產硅片廠商下游客戶產品驗證將提速,同時疊加硅片價格高位,2022 及 2 023 年將迎來黃金發展期。

      新能源車及光伏快速發展,拉動功率半導體持續緊缺。公司功率板塊主要產品為 SBD、 MOSFET 以及 TVS 等,其中 SBD 主要應用于汽車領域,MOSFET 應用在光伏領域。 在新能源車以及光伏等下游高速發展下,2021 年公司光伏類產品占全年功率器件總發 貨量 46%,占 2021 年全球光伏類芯片銷售 43%-47%,溝槽芯片發貨量顯著增長,同比 增幅 260%,平面肖特基同比增幅 170%,肖特基、MOS 芯片訂單量遠超產能,全年維持 滿產滿銷,供不應求。目前,據 ECIA 最新數據顯示,在 2022 年 2 月全球半導體平均 交貨周期里,功率半導體繼續保持上漲,目前平均交貨天數超過 200 天,供需持續供 不應求,功率產品有望進一步提價。未來伴隨公司附加值更高的新品 FRD 逐步通過客 戶驗證,以及功率板塊產能爬坡,疊加 2022 高景氣度下的高價格,公司功率業務將打 開第二成長曲線。

      產業鏈一體化優勢明顯,公司三大業務有望迎來業績騰飛。硅材料方面:公司 6 英寸 拋光片技改后產能得到進一步提升,8 英寸拋光片在新設備到產產能爬坡后將釋放更大 產能,12 英寸大硅片技術能力已覆蓋 14nm 以上技術節點邏輯電路。功率及圖像傳感 器件覆蓋客戶所需技術節點且已大規模出貨,伴隨 12 英寸在 2022 年產能進一步提升, 公司硅材料業績有望高增長。功率器件方面,公司車規級功率器件芯片以及光伏用旁 路二極管控制芯片產銷量大幅提升,22 年產線爬坡將釋放更大業績彈性。化合物半導 體射頻芯片產銷量也將穩步提升。我們認為公司作為國內半導體上游材料龍頭廠商, 技術實力雄厚,擁有自主知識產權、產品規模、客戶、品牌以及人才等方面優勢,伴 隨 5G、新能源汽車、AIoT 等下游需求領域的飛速發展,以及全球晶圓廠擴產對硅片需求的持續性緊缺,在國產替代的大背景下,疊加產能爬坡帶來的業績增量,公司整 體發展空間廣闊。

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      立昂微(605358)研究報告:半導體硅片、半導體功率器件以及化合物半導體射頻芯片.pdf第1頁 立昂微(605358)研究報告:半導體硅片、半導體功率器件以及化合物半導體射頻芯片.pdf第2頁 立昂微(605358)研究報告:半導體硅片、半導體功率器件以及化合物半導體射頻芯片.pdf第3頁 立昂微(605358)研究報告:半導體硅片、半導體功率器件以及化合物半導體射頻芯片.pdf第4頁 立昂微(605358)研究報告:半導體硅片、半導體功率器件以及化合物半導體射頻芯片.pdf第5頁 立昂微(605358)研究報告:半導體硅片、半導體功率器件以及化合物半導體射頻芯片.pdf第6頁 立昂微(605358)研究報告:半導體硅片、半導體功率器件以及化合物半導體射頻芯片.pdf第7頁 立昂微(605358)研究報告:半導體硅片、半導體功率器件以及化合物半導體射頻芯片.pdf第8頁 立昂微(605358)研究報告:半導體硅片、半導體功率器件以及化合物半導體射頻芯片.pdf第9頁 立昂微(605358)研究報告:半導體硅片、半導體功率器件以及化合物半導體射頻芯片.pdf第10頁 立昂微(605358)研究報告:半導體硅片、半導體功率器件以及化合物半導體射頻芯片.pdf第11頁 立昂微(605358)研究報告:半導體硅片、半導體功率器件以及化合物半導體射頻芯片.pdf第12頁 立昂微(605358)研究報告:半導體硅片、半導體功率器件以及化合物半導體射頻芯片.pdf第13頁 立昂微(605358)研究報告:半導體硅片、半導體功率器件以及化合物半導體射頻芯片.pdf第14頁 立昂微(605358)研究報告:半導體硅片、半導體功率器件以及化合物半導體射頻芯片.pdf第15頁
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