臺(tái)積電研究報(bào)告：引領(lǐng)萬(wàn)億晶體管新時(shí)代.pdf

臺(tái)積電研究報(bào)告：引領(lǐng)萬(wàn)億晶體管新時(shí)代。觀點(diǎn)#1：工藝平臺(tái)演進(jìn)將推動(dòng)ASP 保持提升趨勢(shì)。臺(tái)積電過(guò)去 10 年，保持兩年一個(gè)新節(jié)點(diǎn)左右的速度推出新的工藝平臺(tái)，這 也成為公司 2017 至 2023 年能夠保持年均 11.1% ASP 提升的重要原因之 一。展望未來(lái)，我們預(yù)計(jì)公司在 2024 年推出 3nm 衍生和優(yōu)化的平臺(tái) N3P， 2025 年量產(chǎn)第一個(gè)基于 GAA（Gate All Around）技術(shù)的 2nm 平臺(tái) N2，2026 年推出第二代 N2P。這些平臺(tái)會(huì)持續(xù)推動(dòng)公司 2023 至 2026 年 ASP 保持 9.7% CAGR 穩(wěn)定提升，到 2026 年達(dá)到 3,392 美元（12 寸）。

觀點(diǎn)#2：海外產(chǎn)能占比 2026 年達(dá) 4.9%，對(duì)整體毛利率影響較小

臺(tái)積電當(dāng)前正積極推進(jìn)在日本、德國(guó)和美國(guó)等海外區(qū)域建設(shè)晶圓廠，我們預(yù) 計(jì)到 2026 年：日本熊本一廠將完全投產(chǎn)達(dá)到 5.5 萬(wàn)片/月，美國(guó)亞利桑那一 廠正處于爬坡階段達(dá)到 2.5 萬(wàn)片/月，德國(guó)廠尚處于建設(shè)期。以上合計(jì)月產(chǎn) 能僅占 2026 年臺(tái)積電總產(chǎn)能的 4.9%。同時(shí)，當(dāng)?shù)卣峁┹^為客觀的 補(bǔ)貼支撐建廠成本，且臺(tái)積電可通過(guò)較強(qiáng)的議價(jià)能力根據(jù)地區(qū)成本調(diào)整代工 價(jià)格。綜上，我們認(rèn)為臺(tái)積電海外工廠建設(shè)和運(yùn)營(yíng)對(duì)臺(tái)積電盈利能力影響有 限，能夠保持當(dāng)前 53%左右的毛利率水平。

觀點(diǎn)#3：Intel 代工業(yè)務(wù)沖擊有限，工藝+IP+全球布局是重要護(hù)城河

2023 年，Intel 宣布內(nèi)部重組并將 IFS 部門（代工業(yè)務(wù)）獨(dú)立運(yùn)作，并已在 2021 年發(fā)布了四年五節(jié)點(diǎn)（4Y5N）技術(shù)演進(jìn)計(jì)劃。我們認(rèn)為，臺(tái)積電通過(guò) 在美國(guó)、日本、歐洲的全球布局，已經(jīng)鎖定和蘋果、英偉達(dá)、AMD、Sony 等主要客戶的常年訂單，2025 年將要量產(chǎn)的 2nm 平臺(tái)或帶來(lái)的性能優(yōu)勢(shì)， 以及在各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域積累多年的代工和 IP 平臺(tái)成為重要的護(hù)城河。建議關(guān) 注臺(tái)積電、Intel、三星之間競(jìng)爭(zhēng)格局的演變。