臺(tái)積電研究報(bào)告：先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)在擴(kuò)大，首予買(mǎi)入.pdf

臺(tái)積電研究報(bào)告：先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)在擴(kuò)大，首予買(mǎi)入。產(chǎn)品周期與供需周期均利于業(yè)績(jī)穩(wěn)定增長(zhǎng)。我們認(rèn)為臺(tái)灣積體電路制造公司 （臺(tái)積電）對(duì)不同周期定位良好。從產(chǎn)品周期角度看，我們認(rèn)為臺(tái)積電新產(chǎn) 品單價(jià)打破之前上市后逐漸下滑的趨勢(shì)，公司對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)計(jì)廠商客戶(hù)的議 價(jià)能力或在增強(qiáng)，3納米工藝芯片或不會(huì)在2納米上市前后降價(jià)。我們認(rèn)為這 主要因?yàn)椋?）臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出，優(yōu)勢(shì)明顯；2）新制 程工藝能耗性能提升，適應(yīng)新應(yīng)用節(jié)能需求；3）Chiplet等新技術(shù)降低先進(jìn)制 程的門(mén)檻，延續(xù)了下游對(duì)先進(jìn)制程工藝產(chǎn)品的需求。

從全球先進(jìn)制程的供需關(guān)系看，我們認(rèn)為人工智能的興起幫助臺(tái)積電加速走 出2023年前后的周期底部。之前以智能手機(jī)為主導(dǎo)的先進(jìn)制程需求正轉(zhuǎn)化為 手機(jī)和高性能計(jì)算需求競(jìng)爭(zhēng)供給的格局。我們認(rèn)為全球先進(jìn)制程芯片或進(jìn)入 一個(gè)長(zhǎng)于之前周期的上行周期，而作為全球高端智能手機(jī)芯片和人工智能加 速芯片的主要甚至唯一供應(yīng)商，臺(tái)積電或進(jìn)一步受益。我們認(rèn)為，關(guān)稅政策 對(duì)于臺(tái)積電影響有限，在先進(jìn)制程供不應(yīng)求的條件下，即便終端產(chǎn)品被加征 關(guān)稅，客戶(hù)對(duì)先進(jìn)制程的需求或不會(huì)改變。

進(jìn)入2納米時(shí)代技術(shù)優(yōu)勢(shì)或繼續(xù)擴(kuò)大。我們認(rèn)為臺(tái)積電在先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝 技術(shù)上的優(yōu)勢(shì)或在擴(kuò)大。我們認(rèn)為2納米工藝相對(duì)之前的3納米工藝在技術(shù)進(jìn)步 幅度和技術(shù)門(mén)檻上有較大提升，包括High-NA EUV光刻機(jī)和GAAFET等新技術(shù)將 首次被應(yīng)用。臺(tái)積電或在2H25開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)2納米，我們認(rèn)為臺(tái)積電或?qū)U(kuò) 大之前3納米等制程工藝的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。而更先進(jìn)的1.6納米工藝或在2H26產(chǎn)品上 線之后延續(xù)臺(tái)積電的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。另一方面，臺(tái)積電在包括CoWoS、SoIC在內(nèi)的 先進(jìn)封裝技術(shù)亦具有技術(shù)優(yōu)勢(shì)。在生成式人工智能計(jì)算加速芯片的高需求下 ，先進(jìn)封裝的優(yōu)勢(shì)或?qū)椭_(tái)積電提升總體的護(hù)城河。