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通信行業分析：硅光加速滲透拐點已至。硅光能夠解決 AI/ML 時代下持續提升的算力需求與摩爾定律失效的核 心矛盾。光信號傳輸過程中衰減少、傳輸帶寬高，硅基光電子擁有大帶 寬、高速率、低能耗、強干擾能力等優勢，在摩爾定律逐漸失效、傳統 電芯片傳輸速率提升遇到瓶頸時，能夠適應 AI/ML 時代下持續演進的 更高速、更復雜的光通信系統。硅光技術成為后摩爾定律時代“More Than Moore”的重要途徑，是明確的技術發展趨勢。

我們為何判斷當下正值硅光模塊需求加速滲透的時點？ （1）技術奇點已至。近些年以 Tower、Global Foundry 為主的 Fab 廠 PDK 日漸成熟，硅光芯片廠商的設計與 Fab 廠封裝的磨合、硅光模 塊廠商與下游客戶的磨合從量變引起質變，硅光芯片及硅光模塊的良 率及性能大幅提升；（2）補齊 EML 缺口。800G 光模塊需求在 25 及 26 年繼續顯著增長，而上游以美、日為主的光芯片廠商擴產存在一定 周期，100G EML 供給偏緊。硅光產能瓶頸小，可緩解行業 EML 緊 缺；（3）現階段平衡 AI/ML 網絡多維度需求的相對優解。硅光模塊是 現階段 AI/ML 網絡演進過程中多維度訴求（高帶寬、低延時、低功耗、 穩定性、可維護性、可擴展、靈活性等）Trade-off 后的相對優解。

更遠期看，光可突破高性能計算瓶頸，由光子集成走向光電集成的星 辰大海。光互聯技術將在“設備-設備”（可插拔光模塊、CPO 共封裝）、 “板-板（” PCIe 光互連）、“芯片-芯片（” Optical I/O）等多個場景加速滲透。

（1）硅光模塊：由傳統分立式光模塊向可插拔硅光模塊演進，降低成 本及功耗。我們預計硅光模塊將在 800G 及 1.6T 時代加速滲透，尤其 在 1.6T 光模塊中硅光模塊的滲透率將顯著提升；（2）CPO 共封裝技 術：將 EIC 和 PIC 通過共封裝形式縮短交換芯片和光引擎間的距離降 低時延及功耗，是光互聯的重要趨勢。我們認為在 Scale-out 場景（設 備與設備之間）下，CPO 是長期趨勢，但是大規模商用尚需時日，我 們預計 CPO 技術將在 26-27 年逐步滲透起量，在 3.2T 時代被批量應 用；（3）Optical I/O：將計算芯片和光引擎靠近，或者直接共封裝在一 個封裝體內，有效提升帶寬、降低能耗和延遲，解決“計算的最后一米” 難題，未來應用空間廣闊。