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      半導體行業(yè)專題研究:漲價持續(xù)性+AI強催化+國產(chǎn)化加速,重點推薦存儲板塊機遇.pdf

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      • 時間:2025/07/03
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      半導體行業(yè)專題研究:漲價持續(xù)性+AI強催化+國產(chǎn)化加速,重點推薦存儲板塊機遇。

      我們看好存儲板塊近期重大機遇,

      基于:1)Q3Q4 存儲大板塊或持續(xù)漲價、2)AI 服務器、 PC、手機等帶動存儲容量快速升級+HBM、eSSD、RDIMM 等高價值量產(chǎn)品滲透率持續(xù)提升 拉高板塊收入提亮、3)HBM、eSSD、RDIMM、DDR 等高難度高速發(fā)展產(chǎn)品國產(chǎn)化率持續(xù)提 升,國內(nèi)存儲市場進一步加速成長。

      1)二季度存儲漲勢喜人,Q3-Q4DRAM/NAND 漲價動能強化,供給側(cè)改革驅(qū)動 DDR4 領(lǐng)漲, 近期分析:半導體存儲市場自 2025 年 3 月底開始逐步回暖,DRAM/NAND 皆自 3 月陸續(xù)開啟 上漲通道。領(lǐng)漲產(chǎn)品來看,近期美光停產(chǎn) DDR4/LPDDR4 引發(fā)結(jié)構(gòu)性短缺,現(xiàn)貨市場已現(xiàn)供需 失衡:6 月 DDR4 報價單月跳漲 50%,渠道內(nèi)存條兩周累計漲幅超 30%,低容量 eMMC 價格較 去年底翻倍增長。Q3Q4 漲價趨勢明確:① DRAM 及 DDR4 合約價:PC DDR4 預期漲幅擴大 至 18-23%(TrendForce),Server DDR4 漲幅 8-13%;Q4DRAM 預期持續(xù)上漲;② NAND Flash :Q3 合約價漲幅上修至5-10%,企業(yè)級SSD 訂單顯著增加,Q4漲價持續(xù)性延續(xù)預期上漲 8-13%; ③ 低容量產(chǎn)品:256Gb TLC Wafer 因原廠停產(chǎn)持續(xù)緊缺,LPDDR4x 仍有漲價空間。核心邏輯 在于供給側(cè)收縮(原廠舊制程產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 HBM/先進節(jié)點)與庫存回補(服務器/PC OEM 提前備 貨)共振,國內(nèi)模組廠商直接受益轉(zhuǎn)單紅利,業(yè)績彈性顯著。

      2) 需求側(cè) AI 滲透率提升:算力需求引領(lǐng)存儲升級,服務器、PC、手機存儲容量快速提升 AI 服務器:預期 2025 年 HBM 市場需求同比+117%,DDR5 需求增 212%;企業(yè)級 SSD 有望在 2027 年成為最大應用,占比提升至 NAND 需求終端的 31%。 AI 終端:①據(jù)閃存市場預計,AI PC 滲透率 2025 年達 35%,推動單機 DRAM 搭載量年增 12.4% (64G 內(nèi)存成新標配),PCIe 5.0 SSD 加速普及;② AI 手機拉動 LPDDR5X 需求同比增 427% (GRACE CPU 驅(qū)動),24GB+1TB 組合成主流。③ 汽車電子存儲:智研咨詢預計,市場規(guī)模 將從 2023 年的 47.6 億美元提升至 2028 年的 102.5 億美元。

      3)國產(chǎn)化突破:企業(yè)級存儲/主控芯片/封測等技術(shù)攻堅,產(chǎn)能擴張重塑供應鏈格局

      模組廠商高端化突破,主控自研構(gòu)筑護城河:江波龍推出適配國產(chǎn) CPU的 PCIe SSD,基于 TCM 模式整合 Sandisk BiSC8 閃存技術(shù)與自研主控;佰維存儲發(fā)布全球領(lǐng)先的 PCIe 5.0 企業(yè)級 SSD (SP5 系列,讀寫 13.2/10GB/s)及 96GB CXL 內(nèi)存模組。同時江波龍、佰維存儲、德明利、聯(lián) 蕓科技、萬潤科技、朗科科技等國產(chǎn)存儲模組、主控芯片廠商正通過技術(shù)、企業(yè)級突破、主控 芯片自研、前沿接口技術(shù)(PCIe 5.0, UFS4.1, LPDDR5X, CXL)應用及車規(guī)認證,全方位提升競 爭力,加速國產(chǎn)替代進程。

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