科技行業(yè)2026年度策略：持續(xù)看好AI鏈，關(guān)注存儲(chǔ)周期影響.pdf

科技行業(yè)2026年度策略：持續(xù)看好AI鏈，關(guān)注存儲(chǔ)周期影響。

2026 年主線：關(guān)注 AI 鏈、存儲(chǔ)周期以及自主可控加速

2025 年電子行業(yè)在 AI鏈引領(lǐng)創(chuàng)新以及下游終端需求整體持續(xù)復(fù)蘇的帶動(dòng)下 持續(xù)上行，同時(shí) 2H25 開始存儲(chǔ)板塊也在大幅供需差下開啟漲價(jià)周期，展望 2026 年，我們建議關(guān)注幾個(gè)方向：1）繼續(xù)看好存儲(chǔ)周期，漲價(jià)在 AI 數(shù)據(jù) 中心的拉動(dòng)下或具備一定持續(xù)性，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片及配套環(huán)節(jié)均有望受益；2） 看好全球頭部 CSP 廠 ASIC 加速落地，帶動(dòng) PCB 等算力產(chǎn)業(yè)鏈向高端化持 續(xù)演進(jìn)；3）國(guó)內(nèi)代工廠以及存儲(chǔ) IDM 擴(kuò)產(chǎn)有望在 26 年開始加速，同時(shí)技 術(shù)節(jié)點(diǎn)向先進(jìn)制程以及 3D 堆疊等方向邁進(jìn)，上游國(guó)產(chǎn)設(shè)備商同步受益；4） 消費(fèi)電子端側(cè) AI 產(chǎn)品創(chuàng)新或加速換機(jī)周期帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)芤妗?/p>

AI 鏈：Scaling Law 仍然有效，帶動(dòng) PCB 等算力鏈需求持續(xù)釋放

我們認(rèn)為 Scaling Law 仍然有效，目前已步入到 2.0 階段，從預(yù)訓(xùn)練拓展到 后訓(xùn)練和推理，為模型能力增強(qiáng)帶來新的路徑，從而繼續(xù)帶動(dòng)算力鏈需求增 長(zhǎng)。2026 年，隨著英偉達(dá)新一代 AI 服務(wù)器平臺(tái)批量上量，全球頭部云服務(wù) 商自研 ASIC 加速落地，加之高速交換機(jī)與光模塊需求增長(zhǎng)，我們預(yù)計(jì)算力 PCB 需求有望同比大幅提升。同時(shí)，算力終端對(duì) PCB 的供給規(guī)格提出了更 高要求，正推動(dòng) PCB 向多層化、高精度和高可靠性方向迭代。我們看好 AI 服務(wù)器平臺(tái)升級(jí)驅(qū)動(dòng)板側(cè)價(jià)值量持續(xù)提升，助推高多層板與高階 HDI 成為 行業(yè)核心增量，并帶動(dòng)高頻高速覆銅板及其前端材料迎來行業(yè)擴(kuò)容。

存儲(chǔ)：AI 驅(qū)動(dòng)需求快速增長(zhǎng)，看好大周期繼續(xù)上行

閃迪、美光、三星等海外存儲(chǔ)原廠陸續(xù)發(fā)布漲價(jià)函，奠定 4Q25 存儲(chǔ)價(jià)格持 續(xù)上漲趨勢(shì)。我們看到 AI 數(shù)據(jù)中心建設(shè)持續(xù)加碼、AI 應(yīng)用進(jìn)一步深化對(duì)存 儲(chǔ)需求的顯著拉動(dòng)，且短期存儲(chǔ)產(chǎn)能供給釋放有限，看好 2026 年存儲(chǔ)周期 持續(xù)上行。DRAM 方面，AI 驅(qū)動(dòng)的 HBM 及高容量 DDR5 需求仍保持旺盛， 預(yù)計(jì) 2026 年 DRAM 市場(chǎng)供需關(guān)系仍將保持緊張；NAND 方面，HDD 供應(yīng) 已經(jīng)出現(xiàn)短缺，疊加 AI 推理應(yīng)用快速增加，將共同拉動(dòng)企業(yè)級(jí) SSD 需求增 長(zhǎng)，推動(dòng) NAND 供需結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化。國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)模組、存儲(chǔ)芯片以及主控/配 套芯片等產(chǎn)業(yè)鏈上各個(gè)環(huán)節(jié)廠商均有望受益于周期上行帶來的量?jī)r(jià)齊升。

自主可控：關(guān)注存儲(chǔ)+先進(jìn)制程的長(zhǎng)期國(guó)產(chǎn)化產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)

存儲(chǔ)芯粒國(guó)產(chǎn)化為長(zhǎng)期產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，我們看到長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)存持續(xù)推進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)張以 及市占率提升，同時(shí)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)持續(xù)向 3D 化發(fā)展，未來 DRAM 同樣有望通 過 4F²+CBA 的方案走向 3D DRAM，NAND 逐步往 300 層及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)演 進(jìn)，而存儲(chǔ)在高深寬比刻蝕和沉積設(shè)備上價(jià)值量亦顯著增加。邏輯芯片方面， 先進(jìn)制程持續(xù)構(gòu)成高性能/AI 芯片的放量瓶頸，且在地緣政治因素波動(dòng)的背 景下先進(jìn)制程產(chǎn)能已具備國(guó)家戰(zhàn)略地位，我們看好國(guó)內(nèi)龍頭晶圓廠持續(xù)推進(jìn) 產(chǎn)能釋放打開收入增長(zhǎng)空間，同時(shí)提升設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率，拉動(dòng)上游國(guó)產(chǎn)設(shè)備商 訂單釋放。

消費(fèi)電子：存儲(chǔ)漲價(jià)部分消費(fèi)終端承壓，關(guān)注新產(chǎn)品形態(tài)預(yù)期差

我們預(yù)計(jì)存儲(chǔ)持續(xù)漲價(jià)會(huì)使安卓手機(jī)/PC 等消費(fèi)終端產(chǎn)業(yè)承壓：1）安卓手 機(jī)等產(chǎn)業(yè)鏈出貨量或出現(xiàn)同比下滑，同時(shí)品牌商競(jìng)爭(zhēng)格局可能發(fā)生變化，手 機(jī)廠商如蘋果、三星受到存儲(chǔ)漲價(jià)影響或更小，而部分廠商或需要在硬件利 潤(rùn)與市占率間做權(quán)衡，2）產(chǎn)業(yè)鏈零部件環(huán)節(jié)利潤(rùn)率或受擠壓，建議關(guān)注生 產(chǎn)稼動(dòng)率下降幅度和個(gè)別行業(yè)是否可能發(fā)生價(jià)格戰(zhàn)。但同時(shí) 26 年在消費(fèi)電 子硬件新品方面可能是承上啟下的一年，折疊屏、桌面機(jī)器人、消費(fèi)級(jí) 3D 打印、AI/AR 眼鏡、OpenAI 硬件等均有望帶來行業(yè)新催化。