存儲(chǔ)設(shè)備行業(yè)深度：“兩存”奮起直追，設(shè)備乘風(fēng)而起.pdf

存儲(chǔ)設(shè)備行業(yè)深度：“兩存”奮起直追，設(shè)備乘風(fēng)而起。Transformer 架構(gòu)引發(fā)了 AI 革命，同時(shí)對(duì)內(nèi)存提高了更高的要求。 Transformer 機(jī)制核心創(chuàng)新為自注意力機(jī)制（Self-Attention），對(duì)序列 中的每個(gè)元素（token）與序列中所有其他元素之間的關(guān)系進(jìn)行建模， 用于捕獲序列元素之間的依賴關(guān)系；該架構(gòu)的興起導(dǎo)致 AI 模型的程序 性記憶（即模型權(quán)重）容量需求呈指數(shù)級(jí)增長，其速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了單 個(gè) GPU 上高帶寬內(nèi)存（HBM）的增長速度，對(duì)內(nèi)存提出了更高的要 求與更多的需求。

AI 將有效帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片尤其是 DRAM/HBM 的增長。根據(jù)《Memory Market overview 2025 Update》（Josephine Lau），2024 年全球存儲(chǔ) 市場(chǎng)約 1700 億美元，DRAM 約 970 億美元，其中 HBM 174 億美元， 在AI的帶動(dòng)下HBM到2030年將增長至到980億美元，CAGR約33%。

中國存儲(chǔ)晶圓廠的市占率與中國存儲(chǔ)市場(chǎng)的占比還有較大差距，中國 存儲(chǔ)晶圓廠仍有較大的發(fā)展空間，設(shè)備廠商將明顯受益。根據(jù)《Memory Market overview 2025 Update》（Josephine Lau），2024 年 DRAM 市 場(chǎng)中國占比 26%（250 億美元），NAND 市場(chǎng)中國占比 33%（220 億 美元）；再結(jié)合 Counterpoint 的市占率數(shù)據(jù)（25Q2），中國 DRAM 廠 商 CXMT（長鑫存儲(chǔ)）只有 5%的市占率，只考慮中國市場(chǎng)其產(chǎn)能擴(kuò)張 還有 5 倍的空間，中國廠商 YMTC（長江存儲(chǔ)）市占率只有 9%，產(chǎn)能 擴(kuò)張 3-4 倍的空間（只考慮中國市場(chǎng)）；不可否認(rèn)，中國存儲(chǔ)廠商的技 術(shù)距離世界先進(jìn)水平還有差距，我國設(shè)備廠商將受益于下游的擴(kuò)產(chǎn)進(jìn) 程，同時(shí)將積極配合下游的技術(shù)追趕進(jìn)程以及并受益于國產(chǎn)化進(jìn)程。