集成電路封測(cè)行業(yè)深度報(bào)告：先進(jìn)封裝助力高速互連，國產(chǎn)供應(yīng)鏈冉冉升起.pdf

集成電路封測(cè)行業(yè)深度報(bào)告：先進(jìn)封裝助力高速互連，國產(chǎn)供應(yīng)鏈冉冉升起。高帶寬需求推動(dòng)先進(jìn)封測(cè)占領(lǐng)市場(chǎng)。機(jī)器學(xué)習(xí)及 AI 相關(guān)應(yīng)用對(duì)數(shù)據(jù)處理能 力提出了更高的要求，催生高帶寬需求，先進(jìn)封裝實(shí)現(xiàn)超越摩爾定律，助力 芯片集成度的進(jìn)一步提高。根據(jù) Yole，2014 年先進(jìn)封裝占全球封裝市場(chǎng)的 份額約為 39%，2022 年占比達(dá)到 47%，預(yù)計(jì) 2025 年占比將接近于 50%。在 先進(jìn)封裝市場(chǎng)中，2.5D/3D 封裝增速最快，2021-2027 年 CAGR 達(dá) 14.34%， 增量主要由 AI、HPC、HBM 等應(yīng)用驅(qū)動(dòng)。

先進(jìn)封裝市場(chǎng)格局呈現(xiàn)出明顯的馬太效應(yīng)，F(xiàn)ab/IDM 廠和 OSAT 錯(cuò)位競(jìng)爭。 2016 年先進(jìn)封裝市場(chǎng) CR5 占比 48%，2021 年提升至 76%，強(qiáng)者恒強(qiáng)。Fab/IDM 廠和 OSAT 廠各自發(fā)揮自身優(yōu)勢(shì)，F(xiàn)ab/IDM 廠憑借前道制造優(yōu)勢(shì)和硅加工經(jīng) 驗(yàn)，主攻 2.5D 或 3D 封裝技術(shù)，而 OSAT 廠商則聚焦于后道技術(shù)，倒裝封裝 仍是其主要產(chǎn)品。封測(cè)技術(shù)主要指標(biāo)為凸點(diǎn)間距（Bump Pitch），凸點(diǎn)間距 越小，封裝集成度越高，難度越大。從凸點(diǎn)間距來看，臺(tái)積電 3D Fabric 技 術(shù)平臺(tái)下的 3D SoIC、InFO、CoWoS 均居于前列，其中 3D SoIC 的凸點(diǎn)間距 最小可達(dá) 6um，居于所有封裝技術(shù)首位。

先進(jìn)封裝技術(shù)趨勢(shì)在于提高 I/O 數(shù)量及傳輸速率，以實(shí)現(xiàn)芯片間的高速互 聯(lián)。 1）鍵合技術(shù)：為滿足高集成度芯片封裝需求，混合鍵合成為趨勢(shì)。混合鍵 合技術(shù)可以實(shí)現(xiàn) 10um 以內(nèi)的凸點(diǎn)間距，而目前的倒裝技術(shù)回流焊技術(shù)最小 可實(shí)現(xiàn) 40-50um 左右的凸點(diǎn)間距。 2）RDL：RDL 重布線是晶圓級(jí)封裝的核心技術(shù)。RDL 將芯片內(nèi)部電路接點(diǎn)重 新布局，形成面陣列排布，實(shí)現(xiàn)芯片之間的緊密連接。目前，封測(cè)廠主要采 用電鍍法來制造 RDL，而大馬士革法則可以滿足低 L/S 的要求。 3）TSV：2.5D/3D 封裝的關(guān)鍵工藝。2.5D/3D 封裝中通過中介層連接多個(gè)芯 片，TSV 則是連接中介層上下表面電氣信號(hào)的通道。 4）臨時(shí)鍵合/解鍵合：隨著圓級(jí)封裝向大尺寸、三維堆疊和輕薄化的方向發(fā) 展，臨時(shí)鍵合/解鍵合工藝成為一種新的解決方案，用于超薄晶圓支撐與保 護(hù)。