半導體行業(yè)先進封裝專題報告：先進封裝助力芯片性能突破，AI浪潮催化產(chǎn)業(yè)鏈成長.pdf

半導體行業(yè)先進封裝專題報告：先進封裝助力芯片性能突破，AI浪潮催化產(chǎn)業(yè)鏈成長。先進封裝：超越摩爾定律，助力芯片性能突破。“后摩爾時代”芯片特征尺寸已接近物理尺寸極限，通過先進封裝提升芯片整體性 能或成為趨勢。先進封裝具有小型化、輕薄化、高密度、低功耗、功能集成的優(yōu)勢， 可廣泛應用于 AI、高性能計算、數(shù)據(jù)中心等新興領域。先進封裝包括四個關鍵要 素：凸塊（Bump）、晶圓（Wafer）、重布線層（RDL）和硅通孔（TSV）技術： Bump 聯(lián)通芯片與外部的電路，并能緩解應力；Wafer 充當集成電路的載體；RDL 連通 XY平面的上電路；TSV則貫通z軸方向上的電路。

CoWoS和HBM：相輔相成，AI芯片的絕佳拍檔

1）CoWoS：AI 時代的先進封裝版本答案。算力需求隨大模型推出爆炸式提升， GPU等AI芯片深度受益。搭載硅中介層的CoWoS封裝性能優(yōu)異，適用于高性能 計算領域，目前已演進五代，不斷增加其中介層面積以及內(nèi)存容量（HBM）。隨 CoWoS封裝供不應求，臺積電不斷上修產(chǎn)能預計，2024年底或達到月產(chǎn)4萬片。 三星和英特爾已完成2.5D/3D封裝布局，傳統(tǒng)封測大廠加速進入CoWoS工藝段。

2）HBM：AI芯片的最佳顯存方案。HBM堆疊多層DRAM提升內(nèi)存容量和帶寬， 打破內(nèi)存墻限制，滿足AI高性能動態(tài)存儲需求。SK海力士官網(wǎng)、三星和美光競爭 愈演愈烈，HBM向更大容量和更高帶寬迭代，2024年下半年HBM3e預計將集中 出貨。隨AI服務器出貨暴漲以及GPU芯片的HBM用量提升，HBM需求高增。 TrendForce 預測，2024 年HBM需求增長率接近200%，2025年可望將再翻倍。

本土先進封裝產(chǎn)業(yè)鏈：厚積薄發(fā)、加速成長

1）刻不容緩：海外高性能芯片管制加強，AI芯片自主可控大勢所趨。美國對高性 能芯片出口限制不斷加強，英偉達先進GPU芯片供應受阻。中國智能算力市場需 求旺盛，2018-2023 年數(shù)據(jù)中心機架數(shù)量 CAGR達 30%，發(fā)展AI芯片自主可控 為大勢所趨，國產(chǎn)AI芯片亟待突破放量。此外，集成工藝可助力芯片跨越1-2個 制程工藝節(jié)點，在高端光刻機封禁下先進封裝有望助力“彎道超車”。

2）提前布局：國產(chǎn)封測大廠打開成長空間。以長電科技、通富微電、華天科技等 為代表的國內(nèi)封測龍頭深耕先進封裝工藝，積極布局海外業(yè)務，現(xiàn)已具備較強的市 場競爭力。此外國產(chǎn)HBM穩(wěn)步推進，據(jù)Trendforce報道，國內(nèi)存儲廠商武漢新芯 （XMC）和長鑫存儲（CXMT）正處于HBM制造的早期階段，目標2026年量產(chǎn)。

3）未來可期：本土相關設備/材料有望受益。先進封裝工藝升級，對封裝設備的精 度和用量提出更高要求，相關材料深度受益。