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國防軍工行業(yè)：AIDC電源的“最后一公里”，板載電源的高密高集成化革命。AIDC 算力建設(shè)增長，熱功耗增長驅(qū)動數(shù)據(jù)中心電氣架構(gòu)全面升級。隨著北美及亞太地區(qū) AI 市場高速增長，智 算中心（AIDC）建設(shè)進入高峰期。AI 芯片（GPU/ASIC）的 TDP（熱設(shè)計功耗）呈指數(shù)級增長，以 NVIDIA B300 為例，其 TDP 已達 1400W，導(dǎo)致單機柜功率密度正從當(dāng)前的不足 20kW 向未來的兆瓦級邁進。根據(jù)維諦 《智算中心基礎(chǔ)設(shè)施演進白皮書》統(tǒng)計，目前國內(nèi)單機架功耗從通算中心（傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心）的 4-6kW 向智算中 心（AIDC）的 20-40kW 邁進，未來有望逐步提升至 40-120kW 甚至更高，智算中心機架呈現(xiàn)高功率密度趨勢。 智算中心機架高密度對配電設(shè)備面積占比、電能利用率、服務(wù)器電源功率、散熱效率提出更高的要求。

架構(gòu)革新：AI 機柜功率密度快速提升，AIDC 電氣架構(gòu)有望向 800V HVDC 升級。相比 415V 交流電，800V 直 流電可在相同銅截面積下提升傳輸功率，顯著降低電流和線纜體積，并將電源組件移出核心算力區(qū)，釋放機架 空間。英偉達已在其白皮書中明確推薦 800V HVDC 作為下一代 AIDC 標(biāo)配，計劃 27 年啟動高壓化改造， 30 年規(guī)模化應(yīng)用，以實現(xiàn)對兆瓦級機柜高效供電。微軟、谷歌亦分別推出了分離式高壓直流方案。HVDC 相較于 UPS 具備高轉(zhuǎn)換效率、空間優(yōu)化、可靠性高、靈活可擴展等優(yōu)勢，有望隨智算中心建設(shè)逐步滲透。

低電壓大電流趨勢驅(qū)動板載電源架構(gòu)升級，三次電源加速向高度集成化、垂直化、模塊化方向演進。隨著電流 飆升，電流在主板橫向傳輸時產(chǎn)生的 PDN 損耗呈平方級增長，此外伴隨 PCB 板上空間資源集成化，分立式器 件無法兼顧高性能與緊湊布局，進而產(chǎn)生板載電源兩大重要趨勢。（1）電源器件從“分立”走向“高度集成”： 為解決分立器件占板面積大、設(shè)計復(fù)雜的問題，DC/DC 電源正從分立方案向電源模塊演進。通過將 DrMOS、 電感、電容集成于單一封裝，功率密度大幅提升，簡化了設(shè)計并降低了 EMI。（2）供電模式從“橫向”走向“垂 直供電”：垂直供電（VPD） 是解決大電流傳輸損耗的終極方案。它將電壓調(diào)節(jié)模塊（VRM）從處理器周邊移 至主板背面、處理器正下方，電流通過基板通孔“垂直”向上直達芯片焊盤。VPD 將供電路徑縮短至極限，能 降低 PDN 阻抗數(shù)倍以上。Vicor、Google 等廠商已推出成熟的 VPD 模塊，支持 2500-3000A 以上的電流需求。

電源 PCB 有望從單一基板角色演進為“功能化載板”，高密度集成為核心趨勢。板載電源高集成度、垂直化需 求倒逼 PCB 本身發(fā)生革命性變化。（1）高密度化、無源器件嵌入：三次電源 PCB 正變得極其精密（如中富電 路在 17x23mm 尺寸內(nèi)集成 14-18 層 PCB），要求 PCB 具備高多層、重銅、HDI 工藝，以承載 800W 以上功率 傳輸。此外為釋放表面空間并縮短路徑，電感、電容等被動元件正被直接埋入 PCB 內(nèi)部。（2）電源模塊嵌入 PCB 以實現(xiàn) IVR 功能，電源 PCB 從單一基板演進為封裝功能載板：集成穩(wěn)壓器（IVR）核心思想是將傳統(tǒng)分 散的電源管理組件（如功率晶體管、電感和電容等）高度集成到單個芯片或封裝內(nèi)，其采用“近距離供電”理 念，將電壓調(diào)節(jié)功能集成到處理器封裝內(nèi)部或直接嵌入芯片中，極大縮短了供電距離。對 PCB 而言，其需要采 用 mSAP 工藝加工更精細(xì)的線寬線距，以實現(xiàn) IVR 功能的封裝及嵌入，電源 PCB 未來有望承擔(dān)更多封裝功能。