5G新材料深度報告：GaAs、GaN 穩居絕對主角.pdf
- 上傳者：榮*****
- 時間：2019/11/07
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本報告聚焦5G通信基礎設施建設中的關鍵半導體材料領域，深度解析砷化鎵（GaAs）與氮化鎵（GaN）兩大核心材料的市場地位與技術演進路徑。
核心觀點：報告指出，在5G高頻、高速、大容量的通信需求驅動下，傳統硅基材料面臨性能瓶頸，而第三代半導體材料憑借高電子遷移率、高擊穿電壓及高頻特性，成為射頻前端及功率器件的首選。GaAs在低頻段射頻器件中占據主導地位，而GaN則憑借更高的功率密度和效率，在基站功放及高端消費電子快充領域確立絕對主角地位，兩者共同構筑5G產業鏈上游核心壁壘。
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