1250V 1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)中的應(yīng)用.pdf
- 上傳者：矯**
- 時間：2025/10/15
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該文檔深入探討了1250V和1700V功率GaN HEMT（高電子遷移率晶體管）在800V直流AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)中的應(yīng)用。隨著人工智能算力需求的爆發(fā)式增長，數(shù)據(jù)中心對電源效率、功率密度及散熱性能提出了極高要求。傳統(tǒng)的硅基功率器件在高壓高頻場景下面臨瓶頸，而寬禁帶半導(dǎo)體GaN憑借更高的擊穿電壓、更快的開關(guān)速度和更低的導(dǎo)通損耗，成為提升數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)效率的關(guān)鍵技術(shù)。文檔重點分析了高壓GaN HEMT如何適配800VDC高壓直流供電架構(gòu)，優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換效率，減少能量損耗，并助力實現(xiàn)更小體積和更高可靠性的電源模塊設(shè)計，為AI基礎(chǔ)設(shè)施的能效升級提供技術(shù)路徑。
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