半導體存儲行業專題報告：從國內NOR Flash產業進階看利基市場機遇.pdf

半導體存儲行業專題報告：從國內NOR Flash產業進階看利基市場機遇。存儲行業為全球半導體市場占比接近三分之一行業，但國內存儲企業 相對弱小，在全球份額不高。近五年來我國上市存儲板塊加速增長， 并誕生一批在細分子板塊 NOR Flash、車規 DRAM 和 EEPROM 等領 域具有全球競爭力的企業，我們選取國內競爭力較強的 NOR Flash 產 業，借鑒其崛起路徑并分析當前國內 Fabless 存儲企業的布局以及利基 存儲產業進階的可能性。

國內企業通過成本優勢和市場機遇切入市場，并逐步形成從低到高的 替代。通過抓住 SPI NOR 滲透率提升和消費電子機遇，兆易創新完成 了容量與單價的快速上升并躋身產業前三；普冉股份利用 SONOS 工 藝的成本優勢以及中小容量需求的增長，其出貨量超過 26 億顆。

新增需求提供空間，與國內企業優勢匹配，而國內晶圓代工產能自給 率上升帶來產能保障。物聯網與可穿戴設備的快速增長提供了行業新 的空間，而此類下游對中小容量的需求更匹配國內企業的競爭優勢， 而國內晶圓代工產能自給率上升為 Fabless 企業提供產能保障，但同時 一定程度上帶來行業集中度的分散。

DDR3 市場變化與 2016-2017 年 NOR Flash 變化具有相似性，國內企 業有望復制該路徑實現產業進階。1）半導體行業景氣導致有限資源的 再分配，頭部廠商三星退出釋放行業超過 30%的份額；2）中小容量 DDR3 產品在消費電子領域依然具備旺盛需求，其不需要汽車電子行 業較高的行業認證壁壘，同時對成本具備價格敏感性，符合國內企業 從低端向高端滲透的增長邏輯；3）近年來國內晶圓代工企業技術上的 日益成熟提供了產能支撐，相較于臺系 IDM 企業資本開支約束，國內 Fabless 公司在份額爭奪上占有先機；4）國內利用先進制程生產利基 產品的模式將構成成本優勢。

SLC NAND 同樣面臨國產替代機遇，國內企業有望獲得份額。海外企 業逐步轉向工控與汽車領域，陸續退出 4Gb 以下中低容量 NAND市場， SLC NAND 主要玩家逐步轉向國內大陸與臺企。如通信、汽車電子、 物聯網、可穿戴設備和工控等新興應用場景的拓展，下游市場對具備 高可靠性、低功耗等特點的中小容量存儲芯片需求也持續上升，也為國內企業帶來國產替代機遇。