2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書.pdf
- 上傳者：簡****
- 時間：2025/05/27
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2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書。3D NAND通過橫向拓展和垂直堆疊以及架構(gòu)優(yōu)化，持續(xù)改善存儲密度。尤其在人工智能、大數(shù)據(jù)和云存儲等應(yīng)用場景，高密度NAND Flash憑借其高性能、低功耗及更優(yōu)的成本等綜合優(yōu)勢，為高性能運算提供重要的存力支持。在消費類市場，高密度存儲順應(yīng)電子元器件輕薄化趨勢，為智能手機和筆電提供了更薄更輕量化的設(shè)計支持，推動多折疊手機及超輕量筆電的發(fā)展。
隨著NAND Flash進入200層以上超高層時代，高縱比刻蝕和沉積的工藝復(fù)雜性增加。即便在雙堆棧架構(gòu)下，單次也需要刻蝕更深的孔，高層NAND Flash發(fā)展面臨著高層數(shù)易錯位和溝道刻蝕偏離的挑戰(zhàn)，并且隨著多品硅通道總電阻增加，通道高度也對讀取電流構(gòu)成了阻礙。因此，越來越多存儲原廠不再一味追求垂直堆疊的高層NAND，而是通過橫向拓展多層存儲孔密度、邏輯拓展單元存儲比特，以及采用雙晶圓鍵合架構(gòu)，整體實現(xiàn)更優(yōu)的NAND存儲密度和讀寫性能。
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