光芯片行業(yè)深度研究：臥薪嘗膽國(guó)產(chǎn)光芯片持續(xù)滲透，厚積薄發(fā)中高端產(chǎn)品替代加速啟動(dòng).pdf

光芯片行業(yè)深度研究：臥薪嘗膽國(guó)產(chǎn)光芯片持續(xù)滲透，厚積薄發(fā)中高端產(chǎn)品替代加速啟動(dòng)。立于時(shí)代風(fēng)口，光芯片有望引領(lǐng)下一輪科技革命：光芯片歸屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域， 是光電子器件的核心組成部分。其應(yīng)用場(chǎng)景遠(yuǎn)不僅僅局限于通信領(lǐng)域，在工業(yè)、 消費(fèi)電子、汽車、軍事等領(lǐng)域均有非常廣泛的應(yīng)用。較之集成電路芯片，除了具 體實(shí)現(xiàn)的功能外，差異主要體現(xiàn)在：1）芯片制備角度，光芯片制備流程與集成 電路芯片有一定相似性，但側(cè)重點(diǎn)不在光刻環(huán)節(jié)，而在于外延的設(shè)計(jì)和制備，這 也決定了行業(yè)內(nèi) IDM 模式是主流，區(qū)別于標(biāo)準(zhǔn)化程度高、行業(yè)分工明確的集成 電路芯片領(lǐng)域；2）芯片材料角度，較之集成電路芯片常用的硅片，二代化合物 半導(dǎo)體（如 InP、GaAs）是更為常用的光芯片材料；3）應(yīng)用場(chǎng)景角度，光芯片 未來(lái)會(huì)廣泛應(yīng)用于各個(gè)行業(yè)，我們認(rèn)為未來(lái)或?qū)⑹且粋€(gè)光子替代電子的大時(shí)代。

國(guó)內(nèi)外加快部署建設(shè)光網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)和通信基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，光通信激光器芯片成 長(zhǎng)空間大：數(shù)通領(lǐng)域需求高景氣，電信千兆寬帶加速建設(shè)助力 10G PON 持續(xù)火 熱，推動(dòng)光通信激光器芯片需求走高。據(jù)源杰科技第二輪審核問(wèn)詢函回復(fù)中的測(cè) 算，2021 年用于光模塊的光芯片的全球市場(chǎng)規(guī)模約 22.7 億美元。我們假設(shè)激光 器與探測(cè)器芯片價(jià)格相近，因而激光器芯片市場(chǎng)規(guī)模約 11.4 億美元?？紤]到當(dāng) 前國(guó)內(nèi)廠商激光器芯片業(yè)務(wù)收入較多集中在千萬(wàn)級(jí)或剛剛過(guò)億，成長(zhǎng)空間廣闊。

光通信激光器芯片國(guó)產(chǎn)替代動(dòng)力足，高端產(chǎn)品替代加速啟動(dòng)：1）產(chǎn)品角度， 當(dāng)前 10G 及以下的國(guó)產(chǎn)程度已較高，25G 僅有少部分廠商能批量發(fā)貨，25G 以 上仍處研究或小規(guī)模試產(chǎn)階段；2）應(yīng)用領(lǐng)域角度，國(guó)內(nèi)廠商在電信市場(chǎng)的光纖 接入和無(wú)線接入領(lǐng)域參與程度較高，數(shù)通市場(chǎng)加速滲透；3）外延能力角度，國(guó) 內(nèi)廠商普遍具有除晶圓外延環(huán)節(jié)之外的后端加工能力，雖然外延技術(shù)與國(guó)外頭部 廠商仍有明顯差距，但當(dāng)前正持續(xù)追加投入。我們認(rèn)為技術(shù)突出聚焦高端產(chǎn)品國(guó) 產(chǎn)替代、具備自主外延設(shè)計(jì)和制備能力以 IDM 模式發(fā)展的國(guó)內(nèi)廠商優(yōu)勢(shì)顯著， 伴隨高端產(chǎn)品開(kāi)啟國(guó)產(chǎn)替代&數(shù)通領(lǐng)域加速滲透，國(guó)內(nèi)廠商未來(lái)有望加速成長(zhǎng)。