汽車電子行業專題研究：800V時代到來，碳化硅迎來甜蜜時刻.pdf
- 上傳者：老*
- 時間：2021/12/27
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目前電動汽車電壓平臺主流是 400-500V，存在里程焦慮及充電速度慢的問題，電動汽車 800V 高壓系統+超級快充，可以實現充電 10 分鐘，續航 300公里以上，能有效解決解決充電及續航焦慮，有望成為主流趨勢。SiC 材料特性使得 MOSFET 結構輕松覆蓋 650V-3300V，導通損耗小；同時，90%的行車工況是在主驅電機額定功率 30%以內，處于碳化硅的高效區；另外，SiC 主驅使得電源頻率和電機轉速增加，相同功率下轉矩減小，體積減小；主驅控制器用 SiC MOSFET 的 800V 平臺車型總體節能 5%-10%。SiC MOSFET 是 800V 高壓系統功率半導體的較佳選擇，目前已發布或即將發布的 800V 高壓系統方案大部分都選擇采用 SiC MOSFET。對于超級快充，最好的辦法是采用 800V 的平臺，用 800V 的超級快充時，要求充電樁電源模塊的功率要擴容到 40kW/60kW，全 SiC 的方案效率則可以提高 2%。800V高壓系統將帶動主驅逆變器、車載 OBC、DC-DC、PDU、超充、快充電樁開始大規模應用碳化硅，碳化硅迎來甜蜜時刻。Yole 預測，2026 年整個碳化硅功率器件的市場規模有望達到 50 億美元，其中 60%以上用于新能源汽車領域。
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