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國博電子（688375）研究報告：背靠中電科TR組件稀缺龍頭，基站射頻芯片突破者。公司是背靠中電科的有源相陣控 T/R 組件稀缺龍頭，基站射頻芯片突破 者，中電國基南方唯一上市平臺。T/R 組件和基站射頻芯片的高進入壁 壘和下游需求擴張，將給公司業績帶來確定性增長。 

背靠中電科的有源相陣控 T/R 組件稀缺龍頭，基站射頻芯片突破者

國博電子是 T/R 組件稀缺龍頭，背靠軍工央企中國電科，具備原材料采購和下游 客戶的天然優勢，業內競爭優勢明顯。基站射頻芯片技術壁壘高，國產化率 低，公司產品導入主流基站制造商。未來，下游軍用雷達的需求擴張，5G 基 站的需求擴張疊加國產化趨勢，將給公司帶來業績確定性的增長。

有源相陣控雷達軍事應用場景多，技術替代明確，T/R 組件市場空間大

相控陣雷達較傳統雷達性能優勢明顯，廣泛應用于多種軍事領域，成為雷達技 術發展的主流趨勢，滲透率不斷提升。作為相控陣天線的核心部件，相控陣 T/R 組件占整個雷達造價的 60%。此外，隨著國防支出的穩步增加和國防信息化的 快速推進，T/R 組件潛在市場規模超百億，成長可期。

受益 5G 基站建設和國產替代，未來 5 年基站射頻 IC 市場將超 500 億

基站射頻模塊/芯片技術壁壘較高，海外射頻龍頭占據主導地位，貿易摩擦加速 國產替代。同時，隨著 5G 基站建設的推進、MIMO 技術的采用以及 5G 時代射 頻芯片價值同步提升，預計未來 5 年，基站射頻 IC 市場空間將超 500 億。

募投項目全面提升 T/R 組件和射頻 IC 核心業務競爭力，鞏固市場地位

公司本次擬募集 26.75 億，其中 14.75 億用于射頻芯片和組件產業化項目，以 增強公司核心業務研發和生產能力。此外，公司還擬募集 12 億補充流動資 金，以滿足公司生產經營規模擴大的資金需求。