碳化硅行業專題報告：襯底產能持續擴充，關注滲透加速下的國產化機會.pdf
- 上傳者：小**
- 時間：2024/01/11
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碳化硅行業專題報告：襯底產能持續擴充，關注滲透加速下的國產化機會。材料性能突出，器件優勢明顯。當前Si半導體已逼近物理極限，以SiC為代表的第三代半導體成為后摩爾時代半導體行業發展的重點方向之一，SiC材料擁 有高擊穿電場、高導熱率以及高飽和電子漂移速度等特性，制備的器件相較于Si產品能夠降低80%損耗的同時將器件尺寸縮小90%，在新能源汽車、光伏 以及軌道交通等領域具備廣闊的替代空間。
SiC為半導體重要新材料，產業鏈自主可控需求強烈。當前海外對華科技限制持續加碼，產業鏈自主可控刻不容緩，SiC作為半導體領域的重要新材料， 國內外SiC技術代差約為5-8年，相較硅基半導體，具備實現國產替代機遇，國家重視程度將不斷上升，有望持續推出利好政策助力國內SiC行業發展，國 內SiC產業鏈有望迎來快速發展良機。
SiC晶體生長慢且加工難，提升良率和產能是控制成本的關鍵。SiC器件成本是Si器件的3倍左右，是制約SiC行業快速發展的核心因素之一，造成該問題的 主要原因在于SiC長晶速度緩慢且加工難度大，從原材料到晶圓轉換率僅為50%。未來在技術進步和規模經濟共同作用下，產線將向8英寸轉移，襯底尺 寸擴徑將助力產業鏈降本，預計襯底價格將以每年8%的速度下降，有望進一步加速SiC發展滲透。
降本提效增益明顯，下游持續景氣帶動需求提升。SiC器件能夠為新能源汽車以及光伏等關鍵下游帶來明顯的效率提升以及綜合成本優化，隨著SiC滲透 加速，Yole預計2026年全球SiC器件市場規模將達71億美元，其中，新能源汽車作為SiC器件增長的主要驅動力，近些年整體銷量呈現快速增長態勢，將不 斷帶動SiC器件需求，預計2027年全球車用SiC功率器件市場規模將達50億美元。
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