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天岳先進研究報告：碳化硅襯底領軍者，長期增長動能穩固。碳化硅襯底領軍者，規模效應初顯:天岳先進是中國碳化硅(SiC)半導體襯底材料領域的領軍企業，公司從技術攻關起步，逐步實現4英寸至12英寸襯底的產業化突破。2024年，隨著上海臨港工廠產能的陸續釋放，公司營業收入同比增長41.37%，歸母凈利潤同比增長491.56%。2025年第一季度，雖然公司營業收入和歸母凈利潤同比下降，但主要是受研發費用和管理費用影響，短期的投入是為長期的技術卡位蓄力。展望未來，依托于公司的技術優勢，隨著港股上市與AI眼鏡、數據中心等新興應用的突破，公司或將迎來二次躍升期。

碳化硅--高壓高溫場景的半導體新王者:1)新能源汽車:乘用車SiC-MOSFET仍有較大滲透空間，新能源工程車規?；?。2)充電樁:超級快充技術是當前新能源產業的核心戰略方向之一，其背后既有政策強力推動，也源于市場需求和技術升級的必然性。3)光儲:在光儲裝機量持續成長和全SiC方案逐步滲透的雙輪驅動下光儲用SiC市場規模也將持續成長。4)碳化硅(SiC)在家電、軌交和電網領域同樣也通過高頻低損、耐高溫、能效躍升三大核心優勢驅動變革。5)數據中心:打破數據中心“能耗墻”，SiC或將從可選技術變為必然選擇。6)AR眼鏡:突破AR光學性能天花板，量產破局可期。根據弗若斯特沙利文數據，2024-2030年，碳化硅功率半導體器件市場規模將以35.2%的復合增速從32.4億美元增長至197.45億美元。

碳化硅襯底產業鏈價值量占比高，大尺寸趨勢不改:碳化硅(SiC)襯底在SiC器件中占據核心地位，其質量和尺寸直接影響器件性能與成本，技術壁壘和成本結構決定了整個產業的商業化進程。在SiC功率器件成本結構中,襯底占比高達47%。碳化硅襯底制備方法的技術迭代本質是"缺陷-成本-效率"的三角博弈，PVT 法勝在工程化，HT-CVD強在純度，LPE則以高速率&低缺陷破局。從尺寸看，當前市場仍以6英寸為主，但8英寸正加速滲透，12英寸已進入技術突破期。根據Yole數據，2023年8英寸襯底占比為1.97%，2024年則快速增長至14.77%，2028年將達到 49.66%。

公司優勢:從技術實力看，公司2023年6月首發液相法低缺陷8英寸晶體，2024年11月全球首發12英寸導電型襯底,2023年3月再次攜3種12英寸碳化硅襯底登場，全面步入國際碳化硅大尺寸競技場，也在AR虛擬顯示領域打響了第一槍。從市場地位和客戶優勢來看,2024年,公司導電型碳化硅襯底市占率提升至22.8%排名第二;高純半絕緣領域，公司連續五年全球市占率排名第三，并與超過50%的全球前十大功率半導體企業開展合作。整體來看，天岳先進的優勢在于以液相法技術為核心突破材料瓶頸，以8英寸襯底量產能力搶占成本高地，再以全球TOP3市占率綁定頭部客戶。