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科技行業(yè)：關(guān)注光模塊上游核心材料發(fā)展機遇。

AI 算力帶動光模塊需求高增長，光芯片需求快速釋放

隨著全球科技巨頭繼續(xù)加碼 AI 算力投資，光模塊產(chǎn)業(yè)鏈有望延續(xù)高景氣度。 根據(jù) LightCounting 于 2026 年 1 月發(fā)布的預(yù)測，全球高速率（100G 及以上） 數(shù)通光模塊市場規(guī)模有望由 2025 年的 164 億美金擴張至 2031 年的 521 億 美金。光芯片作為光模塊上游核心原材料之一，需求側(cè)亦呈現(xiàn)高增趨勢，根 據(jù)源杰科技港股招股書中的數(shù)據(jù)，預(yù)計全球光芯片市場規(guī)模有望由 2024 年 的 26 億美金增長至 2030 年的 229 億美金，對應(yīng)期間 CAGR 達(dá) 44%。

InP 襯底：光芯片帶動需求側(cè)高增長，行業(yè)具備高壁壘

InP 襯底是光芯片生產(chǎn)的核心原材料之一。隨著 2026~2027 年 800G、1.6T 光模塊拉動光芯片需求快速釋放，Lumentum、Coherent、源杰等國內(nèi)外光 芯片頭部廠商均在積極擴充產(chǎn)能，InP 襯底有望迎高速發(fā)展期，Yole 預(yù)測， 全球 InP 襯底銷量（折合為 2 英寸）有望從 2019 年的 50 萬片增加至 2026 年的 128 萬片。全球 InP 襯底市場高度集中，日本住友、北京通美及日本 JX 占據(jù)超 90%份額，我們認(rèn)為需求高增長背景下，新晉廠商有望獲得導(dǎo)入 機遇。InP 襯底的產(chǎn)業(yè)鏈可劃分為高純原材料（紅磷、金屬銦等）→多晶合 成→單晶生長、襯底制備→外延片/光芯片。

薄膜鈮酸鋰：3.2T 漸行漸近，產(chǎn)業(yè)迎廣闊發(fā)展機遇

隨著 3.2T 光模塊的漸行漸近，單通道調(diào)制速率需達(dá)到 400G，我們判斷薄 膜鈮酸鋰相比于純硅光調(diào)制器具備超高帶寬、低功耗、低損耗等方面優(yōu)勢， 有望迎來導(dǎo)入機遇。根據(jù)我們的測算，2031 年僅 3.2T 光模塊帶動的薄膜鈮 酸鋰調(diào)制器市場空間有望近 30 億元，對應(yīng) 2029~2031 年 CAGR 達(dá) 271%。 薄膜鈮酸鋰的產(chǎn)業(yè)鏈可劃分為鈮酸鋰晶體材料→薄膜鈮酸鋰晶圓→薄膜鈮 酸鋰調(diào)制器（芯片），各環(huán)節(jié)均具備較高技術(shù)壁壘，我國廠商在以上各領(lǐng)域 均已取得積極進(jìn)展，我們看好相關(guān)廠商在 3.2T 時代有望迎接廣闊發(fā)展機遇。