國林科技研究報告：國產臭氧發生器領先者，半導體裝備開創新紀元.pdf
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- 時間：2023/10/20
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國林科技研究報告：國產臭氧發生器領先者，半導體裝備開創新紀元。國內臭氧發生器龍頭公司，助力半導體產業鏈國產化。 臭氧發生器在半導體領域有兩大應用，其中臭氧水發生裝置主要用于半導體前道工藝環節的濕法清洗，臭氧 氣體發生裝置可用于CVD和ALD等薄膜沉積環節及部分干法清洗環節。當前我國半導體臭氧設備市場主要被美國 MKS等外企壟斷，由于半導體產業轉移及產業安全等要求，未來高端設備不論是整機自研、零部件配套等領域 實現國產自主可控乃是大勢所趨。 公司已實現半導體臭氧設備核心技術突破，生產的臭氧水機產生的臭氧水濃度可達80-150PPm，臭氧氣體發 生器產生的臭氧氣體濃度可達200-300mg/L，均已取得相關專利，產品性能可對標海外龍頭。目前產品正在客 戶端驗證，驗證結束后可立即投產量產，將有望加速半導體產業鏈的國產替代。
高品質乙醛酸供需矛盾突出，公司臭氧制酸生產工藝成熟，具備量產條件。 目前國內高品質乙醛酸產品基本依賴進口，國林科技專有乙醛酸制備方法“臭氧氧化順酐法”，產品品質高、 可產生副產品甲酸鉀且轉化效率基本達到100%。
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