中微公司研究報告:國產刻蝕+MOCVD設備龍頭,內生外延打造高端裝備平臺.pdf
- 上傳者:老*
- 時間:2024/01/19
- 熱度:1036
- 0人點贊
- 舉報
中微公司研究報告:國產刻蝕+MOCVD設備龍頭,內生外延打造高端裝備平臺。刻蝕+MOCVD 龍頭,技術驅動行業領先。中微公司成立于 2004 年,主營業 務為開發大型真空微觀器件高端工藝設備,目前已成為國產刻蝕設備機 MOCVD 龍頭供應商,刻蝕設備覆蓋 90%以上應用,部分性能超越國際競 品,Mini LED 關鍵設備 MOCVD 在藍綠光 LED 生產線取得絕對領先地位。公 司 CCP 刻蝕設備已批量應用于國內外一線客戶從 65nm 到 5nm 集成電路制 造產線,極高深寬比刻蝕機在客戶端驗證具有刻蝕≥60:1 深寬比結構的能 力;ICP 刻蝕設備逐步成熟,已成功進入海內外超 50 家客戶的晶圓產線。
中國晶圓廠設備投資強勁,國產設備供應商加速滲透。根據 SEMI 最新報 告統計,全球晶圓制造設備在 2022 年創下 940 億美金新高后,2023 年預 計下降 3.7%到 906 億美金,這一數字相比 SEMI 年中預計的全年同比收縮 18.8%大幅收窄,主要就是因為中國半導體設備資本開支強勁。我們看到 中國大陸半導體設備從 2013 年占全球比重 10.6%提升至 2023 年前三季度 的 31.3%,中國大陸半導體設備市場重要性日益凸顯。貿易摩擦背景下, 國產設備供應商已基本完成從 0 到 1 的突破,替代加速。我們統計 8 家核 心設備公司 2023 年前三季度營收合計規模約 300 億人民幣(含非集成電 路業務),約占大陸設備市場需求的 16.5%,替代空間仍非常廣闊。
橫向布局關鍵導體薄膜沉積設備,平臺化逐步顯現。中微公司基于創新技 術和專利保護設計,正在開發 LPCVD、生長硅及鍺硅極關鍵 EPI 設備等。 公司在兩年內已實現多種 LPCVD 研發交付以及 ALD 設備研發的重大突破, 目前已有四款設備產品進入市場,其中三款設備已獲得客戶認證,并開始 得到重復性訂單,未來公司還規劃進一步完善先進 CVD 和 ALD 產品線。中 微橫向拓寬半導體設備中又一重要設備品類,市場空間進一步打開。
新型顯示推動 MOCVD 設備需求,第三代半導體貢獻新動能。近年來受 LED 終端需求波動,公司 MOCVD 設備需求出現下滑。隨著 Mini LED 產業鏈擴 產,終端消費電子產品成本進一步下探,Mini LED 消費市場滲透率持續提 升。國內第三代化合物半導體投資亦如火如荼。中微公司專為 Mini LED 量產設計的 Prismo UniMax™ MOCVD 設備已取得國內領先客戶訂單,SiC、 GaN 功率器件、Micro-LED 等器件所需的多類 MOCVD 設備也取得了良好進 展,2024 年將會陸續進入市場,MOCVD 系列產品需求有望逐步修復。
免責聲明:本文 / 資料由用戶個人上傳,平臺僅提供信息存儲服務,如有侵權請聯系刪除。
- 相關標簽
- 相關專題
- 全部熱門
- 本年熱門
- 本季熱門
- 射頻電源行業專題分析:刻蝕&PECVD設備核心零部件,國產替代迫在眉睫.pdf 1987 8積分
- 北方華創研究報告:國產半導體裝備脊梁,打造平臺型龍頭.pdf 1360 7積分
- 半導體設備專題報告:刻蝕主賽道,有望加速導入國產設備.pdf 1248 6積分
- 半導體射頻電源行業專題報告:刻蝕+CVD設備的核心,國產化替代拐點已至.pdf 1240 6積分
- 中微公司研究報告:國產刻蝕+MOCVD設備龍頭,內生外延打造高端裝備平臺.pdf 1037 6積分
- 刻蝕設備投資策略:最優質半導體設備賽道,技術政策需求多棲驅動.pdf 1022 6積分
- 北方華創研究報告:刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出,打造平臺型設備龍頭.pdf 903 7積分
- 北方華創研究報告:塑造刻蝕薄膜沉積清洗熱處理平臺企業,深度受益國產替代戰略發展.pdf 707 7積分
- 中微公司深度解析:ICP開啟刻蝕第二成長曲線,內生外延打造泛半導體平臺.pdf 691 6積分
- 萬業企業專題報告:并購整合打造半導體裝備平臺,離子注入迎經營拐點.pdf 617 6積分
- 沒有相關內容
- 沒有相關內容
