北方華創研究報告：塑造刻蝕薄膜沉積清洗熱處理平臺企業，深度受益國產替代戰略發展.pdf

北方華創研究報告：塑造刻蝕薄膜沉積清洗熱處理平臺企業，深度受益國產替代戰略發展。布局刻蝕/薄膜沉積/清洗/熱處理四大應用領域，打造半導體設備平臺型企業。半導 體設備處于產業鏈上游，支撐制造和封裝測試，半導體行業技術高、進步快，一代 產品需要一代工藝，一代工藝需要一代設備，半導體設備是半導體產業的技術先導 者，通常半導體設備的研發領先半導體工藝 3~5 年。制造半導體芯片過程主要包 括晶圓加工、刻蝕、光刻、沉積、離子注入、金屬化等多個工藝步驟。北方華創設 備涉及刻蝕/薄膜沉積/清洗/熱處理四大應用領域，廣泛應用于集成電路、先進封裝、 半導體照明、微機電系統、功率半導體、化合物半導體、新能源光伏、平板顯示等 領域，為半導體、新能源、新材料等領域提供解決方案。隨著公司設備平臺型布局 完善，公司將充分受益于半導體產業鏈自主可控發展戰略。

刻蝕設備：ICP 突破 12 英寸各技術節點，CCP 實現邏輯/存儲/功率多關鍵制程覆 蓋。（1）ICP：北方華創先后攻克了電感耦合脈沖等離子體源、多溫區靜電卡盤、 雙層結構防護涂層和反應腔原位涂層等技術難題，實現了 12 英寸各技術節點的突 破。公司多晶硅及金屬刻蝕系列 ICP 設備實現規模化應用，完成了淺溝槽隔離刻 蝕、柵極掩膜刻蝕等多道核心工藝開發和驗證，助力國內主流客戶技術通線，已實 現多個客戶端大批量量產并成為基線設備。（2）CCP：北方華創集成電路領域 CCP 介質刻蝕設備實現了邏輯、存儲、功率半導體等領域多個關鍵制程的覆蓋，為國內 主流客戶提供了穩定、高效的生產保障，贏得客戶信賴和認可。

薄膜沉積：全面布局 PVD/CVD/ALD 等產品技術，提供前沿產品與創新解決方案。 （1）PVD:北方華創集成電路領域銅互連、鋁墊層、金屬硬掩膜、金屬柵、硅化物 （Silicide）等工藝設備在客戶端實現穩定量產，成為多家客戶的基線設備，并廣泛 應用在邏輯、存儲等主流產線，同時也成功實現功率半導體、三維集成和先進封裝、 新型顯示、化合物半導體等多個領域的量產應用。（2）CVD：北方華創基于十余 年沉積工藝技術的豐富經驗，布局拓展了 DCVD 和 MCVD 兩大系列產品。針對 介質和金屬化學氣相沉積關鍵技術需求，攻克了進氣系統均勻性控制、壓力精確平 衡、雙頻驅動的容性等離子體控制、多站位射頻功率均分控制等多項技術難題，實 現金屬硅化物、金屬柵極、鎢塞沉積、高介電常數原子層沉積等工藝設備的全方位 覆蓋，關鍵技術指標均達到業界領先水平。

清洗與熱處理：提供多類型濕法清洗設備，立式爐邏輯/存儲全覆蓋。在清洗設備 領域，北方華創經過多年的技術積累，先后突破了多項關鍵模塊設計技術和清洗工 藝技術，包括伯努利卡盤和雙面工藝卡盤、高效率藥液回收系統、熱 SPM 工藝、 熱磷酸工藝、低壓干燥工藝等，實現了槽式工藝全覆蓋，同時高端單片工藝實現突破。在立式爐領域，北方華創突破并掌握了氣流場/溫度場控制、反應源精密輸送、 硅片表面熱場設計等關鍵技術，實現了立式爐系列化設備在邏輯和存儲工藝制程應 用的全面覆蓋。