半導體射頻電源行業專題報告：刻蝕+CVD設備的核心，國產化替代拐點已至.pdf

半導體射頻電源行業專題報告：刻蝕+CVD設備的核心，國產化替代拐點已至。射頻電源：半導體工藝控制的核心，應用于 CVD 薄膜沉積、刻蝕等核心環節。1) 什么是射頻電源？用來產生射頻電功率的電源。核心作用—通過產生高頻 電磁場，將在低壓或常壓下的氣體進行電離、形成等離子體。從而在腔體 內部實現不同的工藝需求。 2) 下游應用在哪？半導體薄膜沉積、刻蝕、離子注入、清洗等前道工藝機臺 的關鍵零部件之一，與工藝直接相關。射頻電源的應用直接關系到腔體中 的等離子體濃度、均勻度和穩定度，影響到終端晶圓刻蝕、成膜的質量。 3) 為什么值得關注？此前受制于下游對半導體核心零部件替換意愿弱、且對 性價比不敏感等因素，國產替代訴求較弱。2022 年 10 月美國出臺的“半 導體制造”最終用途限制措施，進一步限制國內半導體的發展，射頻電源 已成為“卡脖子”環節之一，國產替代需求緊迫。

行業趨勢：全球/國內 270/70 億元市場，國產化率極低、未來 2 年將提速

1) 市場空間：受益于新增擴產+存量替換市場需求，我們測算：預計 2025 年 全球半導體射頻電源市場空間有望達 270 億元，國內市場空間達 70 億元。 未來隨著半導體資本開支的上行、市場空間有望持續打開。

2) 競爭格局：全球射頻電源主要被 2 家美系廠商寡頭壟斷。2022 年美國 MKS 和 AE 合計市占率達 87%，其余日德企業占據少量份額，國產化率極低。在 半導體“卡脖子”背景下、國內廠商英杰電氣、恒運昌、北方微電子與下 游設備廠共同成長，在射頻電源產品供應方面已實現批量訂單突破。

3) 行業趨勢：我們認為行業將受益于——海外供應瓶頸+庫存消耗周期因素+ 半導體資本開支提速的 3 重因素疊加，半導體射頻電源國產替代進程有望 進入加速期。預計半導體射頻電源的國產替代趨勢有望在未來 1-2 年內加 速推進、實現全面國產替代。