晶盛機(jī)電（300316）研究報(bào)告：裝備與材料持續(xù)拓展，打造泛半導(dǎo)體平臺(tái)型企業(yè).pdf

晶盛機(jī)電（300316）研究報(bào)告：裝備與材料持續(xù)拓展，打造泛半導(dǎo)體平臺(tái)型企業(yè)。光伏需求快速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì) 2023-30 年全球裝機(jī)復(fù)合增速達(dá)約 20%，有望帶動(dòng)硅片產(chǎn)能進(jìn)一步 擴(kuò)張。硅片環(huán)節(jié)持續(xù)技術(shù)迭代，無(wú)論此前的單晶替代多晶、大尺寸化，還是正在進(jìn)行的 N 型化， 均對(duì)硅片設(shè)備提出了更高要求，有望刺激硅片設(shè)備升級(jí)。晶盛機(jī)電建立了覆蓋長(zhǎng)晶、截?cái)唷㈤_(kāi) 方、滾圓磨面、切片、脫膠插片清洗等環(huán)節(jié)較為齊全的設(shè)備產(chǎn)品體系。公司持續(xù)研發(fā)并推動(dòng)技 術(shù)迭代，推出 5 代單晶爐，并率先開(kāi)發(fā)和批量銷售 G12 大尺寸設(shè)備。隨著光伏行業(yè)的持續(xù)發(fā) 展，下游硅片廠商先進(jìn)產(chǎn)能持續(xù)投入，公司光伏設(shè)備產(chǎn)品將繼續(xù)引領(lǐng)公司快速發(fā)展。此外，公 司積極布局光伏電池片設(shè)備和組件設(shè)備，拓展更大市場(chǎng)。

半導(dǎo)體領(lǐng)域推動(dòng)硅片設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代，拓展功率與先進(jìn)制程設(shè)備

當(dāng)前硅片需求旺盛，但中國(guó)大陸地區(qū)硅片產(chǎn)能占比相對(duì)較低，硅片的國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊，國(guó)內(nèi) 硅片廠加快擴(kuò)產(chǎn)，利好半導(dǎo)體硅片設(shè)備需求。公司在半導(dǎo)體 8-12 寸大硅片設(shè)備領(lǐng)域品類布局 完善，圍繞“長(zhǎng)晶、切片、拋光、CVD”四大核心環(huán)節(jié)設(shè)備研發(fā)，實(shí)現(xiàn) 8 寸設(shè)備的全覆蓋，12 寸長(zhǎng)晶、切片、研磨、拋光等設(shè)備也已實(shí)現(xiàn)批量銷售，產(chǎn)品質(zhì)量已達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平，有望逐步 推動(dòng)硅片設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代。此外，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司開(kāi)發(fā)了 SiC 長(zhǎng)晶、切片、拋光、外延 等設(shè)備，SiC 外延設(shè)備已實(shí)現(xiàn)批量銷售；在先進(jìn)制程領(lǐng)域，開(kāi)發(fā)了 12 寸外延、LPCVD 等設(shè)備。

SiC 材料性能突出空間廣闊，公司布局 SiC 襯底有望充分受益

SiC 電子器件具備開(kāi)關(guān)頻率高、散熱要求低、換流器轉(zhuǎn)換效率高、裝置與電路復(fù)雜性低等優(yōu)勢(shì)， 但受成本限制，滲透率仍較低。近年來(lái)，降價(jià)趨勢(shì)初步顯現(xiàn)，有望驅(qū)動(dòng) SiC 在功率器件、射頻 器件領(lǐng)域大規(guī)模應(yīng)用。當(dāng)前國(guó)內(nèi)大尺寸 SiC 襯底進(jìn)度仍落后于國(guó)際，海外主流大廠 2023 年有 望實(shí)現(xiàn) 8 寸 SiC 襯底量產(chǎn)，但國(guó)內(nèi)目前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的主要為 4 寸，6 寸產(chǎn)能尚處于起步階段。公 司建設(shè)了 6 寸碳化硅晶體生長(zhǎng)、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實(shí)驗(yàn)線，實(shí)驗(yàn)線產(chǎn)品已通過(guò)下游部分客 戶驗(yàn)證，2023 年有望實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。同時(shí)公司已成功生長(zhǎng)出行業(yè)領(lǐng)先的 8 寸 SiC 晶體，實(shí)現(xiàn) 8 寸 拋光片的開(kāi)發(fā)，預(yù)計(jì) 2023Q2 將實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)，為大尺寸碳化硅襯底的廣泛應(yīng)用打下基礎(chǔ)。