中微公司研究報告：國產刻蝕+MOCVD龍頭，加速打造高端裝備平臺.pdf

中微公司研究報告：國產刻蝕+MOCVD龍頭，加速打造高端裝備平臺。二十余載砥礪前行，國產高端裝備平臺領軍者。中微公司成立于2004年 5月，當前公司已形成以刻蝕設備、MOCVD設備為基，向薄膜沉積設備、 量檢測設備等拓展的平臺化發展格局。公司目前等離子體刻蝕設備技術能 力達到5納米級以下，未來還將繼續開發更先進工藝水平，市占率持續提 升并不斷收到領先客戶批量訂單。MOCVD設備在Mini LED等氮化鎵基設 備領域市場占據領先地位，未來還將持續開發用于氮化鎵、碳化硅等功率 器件及Micro-LED器件制造的MOCVD設備。24H1實現薄膜設備的首臺 銷售，公司還在規劃多款CVD和ALD設備，增加薄膜設備覆蓋率。伴隨 高研發轉換效率，公司營收業績穩健增長，收入和歸母凈利潤分別從2018 年的16.39/0.9億元增長到2024年的約90.65/16.3億元，復合增速分別 達到33.0%/61.7%。

CCP領域技術領先，ICP設備付運勢頭強勁。刻蝕是半導體圖案化過程的 核心工藝，全球范圍來看，LAM、AMAT、TEL等企業占據市場主導地位。 受益于芯片向更先進制程演進及存儲器件垂直化發展，疊加多重曝光下刻 蝕工藝步驟提升，刻蝕設備重要性進一步提升。中微公司憑借系列刻蝕設 備組合處于刻蝕創新技術前沿，市占率大幅提升，截至2024年第三季度， 公司累計交付CCP反應臺超3800個，設備覆蓋28納米以上邏輯器件制 造絕大部分CCP刻蝕應用，公司ICP設備擁有700+反應臺在線生產，覆 蓋95%以上刻蝕應用。其中，Nanova單臺機訂單年增長超100%迅速擴 大市占率，PrimoUD-RIE已在生產線驗證具有刻蝕≥60：1深寬比結構量 產能力，TSV新工藝驗證成功，推動我國高端半導體制造設備達到新高度。

薄膜沉積設備研發轉換高效布局，MOCVD應用領域拓寬。薄膜沉積設備 是芯片制造三大核心設備之一，按工藝原理不同，可分為PVD、CVD和 ALD，2025年全球薄膜沉積設備市場規模預計達239.6億美元，目前行業 由AMAT和、Lam和TEL等企業壟斷，國產廠商份額提升空間廣闊。中微 公司持續推進多款薄膜沉積設備研發項目，至2024年中已實現六種設備 高效研發交付及客戶量產驗證，鎢系列薄膜沉積產品全面覆蓋存儲器件鎢 應用，公司LPCVD薄膜設備已經順利進入市場，2024年收到4.76億元批 量訂單，實現銷售收入1.56億元。同時，公司深耕MOCVD領域，在全球 氮化鎵基LED MOCVD設備市場占據領先地位。