半導(dǎo)體存儲行業(yè)深度研究報(bào)告：企業(yè)級需求高增，驅(qū)動新一輪存儲超級周期.pdf

半導(dǎo)體存儲行業(yè)深度研究報(bào)告：企業(yè)級需求高增，驅(qū)動新一輪存儲超級周期。企業(yè)級需求高增，存儲價(jià)格全面上漲。（1）DRAM：服務(wù)器建置動能回暖， 25Q4 DRAM 價(jià)格漲幅預(yù)期上修。海外原廠退產(chǎn) DDR4 導(dǎo)致 PC 領(lǐng)域 DDR5 滲 透率提高，服務(wù)器領(lǐng)域受到 CSP 建置動能回溫，DDR5 產(chǎn)品需求持續(xù)增強(qiáng)，近 期 DDR5 價(jià)格穩(wěn)健上揚(yáng)。DDR4 主要受到原廠產(chǎn)能縮減影響，自 24Q4 主流存 儲原廠宣布減產(chǎn)/轉(zhuǎn)產(chǎn) DDR4 至今已逾半年，隨著產(chǎn)能調(diào)整深入演進(jìn)，DDR4 顆 粒供不應(yīng)求價(jià)格持續(xù)攀升。展望 25Q4，Trendforce 預(yù)計(jì) DRAM 漲幅預(yù)期可觀， 且 25 年 10 月由于供應(yīng)商收到 CSP 廠商加單后明顯提高調(diào)升報(bào)價(jià)的意愿， Trendforce 上調(diào) 25Q4 DRAM 價(jià)格預(yù)測，一般型 DRAM 價(jià)格預(yù)估漲幅從 8-13% 上修至 18-23%，并且很有可能再度上修。展望 26 年，由于 Server 需求維持強(qiáng) 勁，預(yù)期 DDR5 合約價(jià)于 2026 全年都將呈上漲態(tài)勢，尤其以上半年較為顯著。 （2）NAND Flash：供給優(yōu)化&企業(yè)級需求攀升，價(jià)格強(qiáng)勢上漲。受人工智能 應(yīng)用以及數(shù)據(jù)中心、客戶端和移動領(lǐng)域日益增長的存儲需求的推動，閃迪于 25 年 9 月宣布對所有渠道和消費(fèi)者客戶的產(chǎn)品價(jià)格調(diào)漲 10%以上。25 年 9 月以 來，在原廠控貨+漲價(jià)雙重驅(qū)動下，現(xiàn)貨 Flash Wafer 價(jià)格強(qiáng)勢上漲，截至 2025 年 10 月 29 日，TLC 閃存 256Gb/512Gb/1Tb 價(jià)格相比 25 年 9 月 2 日價(jià)格漲幅 16.7%/61.3%/27.0%。由于顆粒端價(jià)格持續(xù)拉升，SSD 成品 9 月起同步跟漲。 據(jù) Trendforce 預(yù)測，由于供給優(yōu)化&企業(yè)級 SSD 需求攀升，預(yù)計(jì) 25Q4 NAND 合約價(jià)有望全面上漲，平均漲幅達(dá) 5-10%。

AI 服務(wù)器大幅提升存儲要求，驅(qū)動新一輪創(chuàng)新大周期。全球數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè) 施擴(kuò)建浪潮升溫，其中存儲器為數(shù)據(jù)存儲直接載體，大模型迭代下容量&性能 同步進(jìn)階，近年服務(wù)器 NAND 和 DRAM 應(yīng)用占比持續(xù)增長，已成全球存儲市 場增長核心引擎。（1）DRAM：低功耗內(nèi)存需求日益旺盛，26 年傳統(tǒng) DRAM 新增產(chǎn)能有限。數(shù)據(jù)中心面臨如何在提供海量算力的同時(shí)降低能耗的問題，因 此低功耗內(nèi)存架構(gòu)是數(shù)據(jù)中心必備戰(zhàn)略要務(wù)，英偉達(dá)新一代 Grace CPU 已使 用帶有糾錯(cuò)碼的 LPDDR5X 顯存來實(shí)現(xiàn)服務(wù)器級可靠性，同時(shí)將能效提高 5 倍。針對 AI 數(shù)據(jù)中心對低功耗 DRAM 的需求，存儲廠商亦積極拓展低功耗 內(nèi)存在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用。供給方面，HBM 是 DRAM 行業(yè)最核心的價(jià)值增長引 擎，單位元收入貢獻(xiàn)遠(yuǎn)超傳統(tǒng) DRAM，且差距仍在不斷擴(kuò)大。因此主要原廠 26 年均聚焦 HBM 產(chǎn)能擴(kuò)張，傳統(tǒng) DRAM 新增產(chǎn)能有限。（2）NAND:受 KV Cache 卸載&HDD 擠占影響，NAND 出貨或?qū)⒊霈F(xiàn)爆發(fā)式增長。為確保模型 訓(xùn)練的準(zhǔn)確度，所需的數(shù)據(jù)量不斷增長，且已拓展至多模態(tài)數(shù)據(jù)來源。近年 8TB/16TB 及以上中高容量 eSSD 應(yīng)用占比大幅提升。且 PCIe5.0 SSD 可加速 模型部署，滲透率逐步提高。除容量和配置的升級以外，KV Cache 用于緩存 歷史 token 計(jì)算結(jié)果，通過實(shí)現(xiàn)對重復(fù)計(jì)算過程的智能規(guī)避來提高計(jì)算效率， 一般存儲于 GPU 內(nèi)存中。KV Cache 容量的增長已超過 HBM 承載上限，頻繁 的內(nèi)存溢出可能導(dǎo)致推理過程出現(xiàn)“記憶斷片”，迫使 GPU 執(zhí)行重復(fù)計(jì)算，從 而引發(fā)延遲和卡頓。將 KV Cache 卸載到 DRAM、SSD 等成本更低、容量更充 裕的內(nèi)存層級成為業(yè)界核心策略。此外，HDD 是數(shù)據(jù)中心冷數(shù)據(jù)的首選，承 載近 80%存儲容量。由于全球主要 HDD 制造商近年未規(guī)劃擴(kuò)大產(chǎn)線，推理需 求導(dǎo)致 Nearline HDD 嚴(yán)重缺貨，云廠商開始考慮使用 SSD 去補(bǔ)齊 HDD 缺口， 促使高效能、高成本的 SSD 逐漸成為市場焦點(diǎn)，特別是大容量的 QLC SSD 出 貨可能于 2026 年出現(xiàn)爆發(fā)性增長。