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電子行業(yè)專題報告：AI填料，看好材料升級機(jī)遇。

AI填料：下游AI快速發(fā)展，驅(qū)動功能填料電子級高端應(yīng)用

球形硅微粉、球形氧化鋁依托優(yōu)異性能，是半導(dǎo)體電子粉體核心材料。硅微粉，廣泛運(yùn)用于覆銅板、芯片封裝等領(lǐng)域；球形硅微粉由于其高填充性，能夠顯著降低覆銅板 和環(huán)氧塑封料的線性膨脹系數(shù)，提升電子產(chǎn)品可靠性。高導(dǎo)熱球形氧化鋁，EMC等熱界面關(guān)鍵填料，憑借較高導(dǎo)熱性等，成為電子封裝、導(dǎo)熱散熱領(lǐng)域主流導(dǎo)熱粉體。

AI大模型迅猛發(fā)展，對新一代高頻高速、芯片封裝用的上游填料性能提出更高要求。新一代高頻高速覆銅板方面，為保證更低介質(zhì)損耗，超純球形二氧化硅正成為行業(yè)主 流選擇；芯片封裝方面，Low-α球硅及l(fā)ow-α球鋁，HBM封裝用環(huán)氧塑封料的主要填料。

高速覆銅板：高階CCL加速滲透，高性能球硅量價齊升。

性能提升——AI服務(wù)器更高性能，驅(qū)動PCB/CCL及填料升級。更高的服務(wù)器技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)對PCB有著更高的性能要求。高頻高速需要PCB板采用Very Low Loss或Ultra Low Loss等級覆銅板材料制作，通常要求更低的低介常數(shù)（Dk）和低介質(zhì)損耗因子（Df）。隨著升級至M7及以上新一代高速覆銅板，對功能填料指標(biāo)要求也更為嚴(yán)格。

用量增加——PCB板層數(shù)增加，CCL功能填料比例逐年增大。隨著PCIe協(xié)議升級，所需PCB板層數(shù)明顯增加。從PCIe3.0對應(yīng)8~12層，逐步增加至PCIe5.0對應(yīng)16-22層，高 性能服務(wù)器對高速覆銅板的需求不斷擴(kuò)大。下游終端設(shè)備性能升級，CCL中高性能球形硅微粉填充比例逐年擴(kuò)大至40%以上，帶動無機(jī)功能填料需求快速上升。

價值量增長——高階CCL加速滲透，高性能球硅占比逐年擴(kuò)大。高階CCL對應(yīng)更高單價的高端球形硅微粉，日本同行業(yè)企業(yè)銷售的高端球形硅微粉售價普遍每噸在幾萬至 十幾萬元以上。同時，全球Super Ultra Low Loss等級高速覆銅板正在加速滲透。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，2021年在覆銅板用硅微粉市場中，高性能球形硅微粉市場 規(guī)模占比超過44%，并預(yù)計(jì)逐年擴(kuò)大。未來隨著ASIC服務(wù)器+GPU拉動，會進(jìn)一步促進(jìn)PCB價值量的增長，并推升CCL以及高端填料的產(chǎn)值。

HBM：Low-α球鋁，HBM封裝關(guān)鍵材料。

AI時代，Low-α球鋁是HBM封裝中的關(guān)鍵填料。半導(dǎo)體器件制造和封裝材料中存在的鈾 (U)、釷 (Th) 等雜質(zhì)具有天然放射性，其釋放的α例子是造成芯片發(fā)生軟失效的主 要來源，尤其是HBM這種高度集成芯片，更容易受到α例子的干擾。Low-α射線球形氧化鋁，能夠預(yù)防由α射線引發(fā)的操作故障，通常用做HBM的封裝填料。

HBM市場快速增長， 推動Low-α球鋁需求提升。Low-α球鋁和球硅占GMC重量的80%以上，隨散熱要求越高，Low-α球鋁占比越高。根據(jù)Yole的預(yù)測，HBM的總市場規(guī) 模將從2022年的27億美元增長至2029年的377億美元，年復(fù)合增速將達(dá)到38%，2030年有望突破1000億美元，將帶動Low-α球鋁需求提升。