天岳先進研究報告：半絕緣型碳化硅襯底龍頭向導電型拓展.pdf
- 上傳者：老*
- 時間：2021/12/03
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碳化硅需求趨勢明確，國內產業鏈加速布局：1.碳化硅相比硅具有開關損耗和導通損耗更低、耐高壓和耐高溫等優勢。2.半絕緣型襯底主要用于通信基站及雷達，需求受益于氮化鎵射頻器件市場規模增長，預計出貨量將由2020 年的 16.6 萬片增長至 2025 年的 43.8 萬片，期間復合增長率為21.5%。由于海外禁運，進口替代需求強烈。3.導電型襯底主要用于電動車、新能源等領域的功率器件。碳化硅器件相比 IGBT 具有降低整車功耗、縮小模塊體積、降低無源器件使用等優勢，在電動車逆變器、OBC、DC-DC上使用需求快速增加，在 2025 年有望迎來替代 IGBT 的“奇點時刻”，預計到 2026 年碳化硅功率器件市場規模將由 2022 年的 22 億美元增長到 60 億美元。4.目前國內在各環節加速布局，襯底環節天岳先進、天科合達、三安光電、爍科晶體等公司具有一定競爭優勢。
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